Одиночные IGBT транзисторы

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (66)

AUIRG4PH50S Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

57 А

Импульсный ток коллектора макс.:

114 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

1.8 мДж

Наличие:

92 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 382,02₽

IGW60T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

100 А

Импульсный ток коллектора макс.:

150 А

Макс. рассеиваемая мощность:

375 Вт

Переключаемая энергия:

9.5 мДж

Наличие:

224 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 630,96₽

IKW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

30 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

217 Вт

Переключаемая энергия:

1.55 мДж

Наличие:

396 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 296,76₽

IKW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

100 А

Макс. рассеиваемая мощность:

326 Вт

Переключаемая энергия:

2.65 мДж

Наличие:

2 401 шт

Внешние склады:

1 115 шт

Цена от:

от 250,74₽

IKW25N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

100 А

Макс. рассеиваемая мощность:

349 Вт

Переключаемая энергия:

2.9 мДж

Наличие:

256 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 307,50₽

IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

483 Вт

Переключаемая энергия:

4.4 мДж

Наличие:

1 482 шт

Внешние склады:

130 шт

Цена от:

от 272,76₽

IKW40N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

75 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

480 Вт

Переключаемая энергия:

5.25 мДж

Наличие:

337 шт

Внешние склады:

145 шт

Цена от:

от 284,82₽

IRG4PH40UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

41 А

Импульсный ток коллектора макс.:

82 А

Макс. рассеиваемая мощность:

160 Вт

Переключаемая энергия:

1.8 мДж

Наличие:

176 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 961,80₽

Акция

IRG7PH35UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 180 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

180 Вт

Переключаемая энергия:

1.06 мДж

Наличие:

60 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 295,26₽

Акция

IRG7PH35UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 55 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

55 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

210 Вт

Переключаемая энергия:

1.06 мДж

Наличие:

117 шт

Внешние склады:

150 шт

Цена от:

от 382,20₽

IGW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

100 А

Макс. рассеиваемая мощность:

326 Вт

Переключаемая энергия:

2.65 мДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 шт

Цена от:

от 1 520,34₽

Акция

IKW25T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 190 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

75 А

Макс. рассеиваемая мощность:

190 Вт

Переключаемая энергия:

4.2 мДж

Наличие:

26 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 511,20₽

IRG4PSH71UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 99 А, 350 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Super-247 (TO-274AA)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

99 А

Импульсный ток коллектора макс.:

200 А

Макс. рассеиваемая мощность:

350 Вт

Переключаемая энергия:

8.8 мДж

Наличие:

3 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 915,78₽

IRG7PH46UD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 108 А, 390 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AD

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

390 Вт

Переключаемая энергия:

2.61 мДж

Наличие:

31 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2 159,64₽

IRGP20B120UD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AD

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

300 Вт

Переключаемая энергия:

850 мкДж

Наличие:

6 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 685,56₽

SGW25N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

46 А

Импульсный ток коллектора макс.:

84 А

Макс. рассеиваемая мощность:

313 Вт

Переключаемая энергия:

3.7 мДж

Наличие:

16 шт

Внешние склады:

107 шт

Цена от:

от 931,98₽

Акция

SKW25N120FK Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

46 А

Импульсный ток коллектора макс.:

84 А

Макс. рассеиваемая мощность:

313 Вт

Переключаемая энергия:

3.7 мДж

Наличие:

22 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1 046,88₽

Акция

STGF3NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 25 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

6 А

Импульсный ток коллектора макс.:

20 А

Макс. рассеиваемая мощность:

25 Вт

Переключаемая энергия:

236 мкДж

Наличие:

21 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 112,38₽

FGA15N120ANTDTU_F109 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 186 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

30 А

Импульсный ток коллектора макс.:

45 А

Макс. рассеиваемая мощность:

186 Вт

Переключаемая энергия:

3 мДж

Сообщить о поступлении

FGA20N120FTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

298 Вт

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"