Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (58)
GT50JR22 GT50JR22 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
230W
Наличие:
9 714 шт

Внешние склады:
3 371 шт
Цена от:
от 109,26
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
306W
Наличие:
70 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 463,62
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
990 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 123,66
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
82 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 188,46
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
Наличие:
215 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 264,36
Акция
IRG4IBC30WPBF IRG4IBC30WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 17 А, 45 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
17A
Импульсный ток коллектора макс.:
92A
Макс. рассеиваемая мощность:
45W
Переключаемая энергия:
130 µJ (on), 130 µJ (off)
Наличие:
50 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 255,24
IRGP4068D-EPBF IRGP4068D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
96A
Макс. рассеиваемая мощность:
330W
Переключаемая энергия:
1.28 мДж
Наличие:
69 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 573,24
Акция
IRGP4068DPBF IRGP4068DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
96A
Переключаемая энергия:
1.28 мДж
Наличие:
140 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 302,04
RJH60F7DPQ-A0-T0 RJH60F7DPQ-A0-T0 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 320 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Макс. рассеиваемая мощность:
320W
Наличие:
241 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 341,94
STGF15H60DF STGF15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
30A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
30W
Переключаемая энергия:
136 µJ (on), 207 µJ (off)
Наличие:
218 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 105,18
GT50J325 GT50J325 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
240W
Наличие:
15 шт

Внешние склады:
32 шт
Цена от:
от 1 446,54
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
138 шт
Цена от:
от 426,36
RJH60F5DPQ RJH60F5DPQ Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
260W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 666,24
AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30S-S IGBT 600V 34A 100W D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
34A
Импульсный ток коллектора макс.:
68A
Макс. рассеиваемая мощность:
100W
Переключаемая энергия:
260 µJ (on), 3.45mJ (off)
AUIRGP4062D AUIRGP4062D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
48A
Макс. рассеиваемая мощность:
250W
FGD3N60UNDF FGD3N60UNDF IGBT 600V 6A 60W DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
6A
Импульсный ток коллектора макс.:
9A
Макс. рассеиваемая мощность:
60W
Переключаемая энергия:
52 µJ (on), 30 µJ (off)
FGH60N60UFDTU FGH60N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
290W
FGH80N60FDTU FGH80N60FDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
290W
Переключаемая энергия:
1mJ (on), 520 µJ (off)
GT50J327 GT50J327 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
HGTG12N60C3D HGTG12N60C3D IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
24A
Импульсный ток коллектора макс.:
96A
Макс. рассеиваемая мощность:
104W
Переключаемая энергия:
380 µJ (on), 900 µJ (off)
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"