Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (203)
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
333 Вт
Переключаемая энергия:
2.36 мДж
Наличие:
1 241 шт

Внешние склады:
225 шт
Цена от:
от 212,52
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
428 Вт
Переключаемая энергия:
4.5 мДж
Наличие:
1 944 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 360,78
IRG4BC20FDPBF IRG4BC20FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
64 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
250 мкДж
Наличие:
116 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 153,54
Акция
IRG4BC30FDPBF IRG4BC30FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
31 А
Импульсный ток коллектора макс.:
124 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
630 мкДж
Наличие:
44 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 663,30
IRG4BC30KDPBF IRG4BC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
28 А
Импульсный ток коллектора макс.:
56 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
Наличие:
268 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 207,72
Акция
IRG4BC30KPBF IRG4BC30KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
28 А
Импульсный ток коллектора макс.:
58 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
360 мкДж
Наличие:
46 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 202,38
IRG4BC30UDPBF IRG4BC30UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
380 мкДж
Наличие:
123 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 888,90
IRG4BC30UPBF IRG4BC30UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
Наличие:
86 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 125,88
IRG4BC30WPBF IRG4BC30WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
130 мкДж
Наличие:
297 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 119,28
Акция
IRG4BC40KPBF IRG4BC40KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 42 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
42 А
Импульсный ток коллектора макс.:
84 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
620 мкДж
Наличие:
125 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 266,10
IRG4BC40SPBF IRG4BC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
Наличие:
59 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 168,72
IRG4BC40UPBF IRG4BC40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 248,94
IRG4BC40WPBF IRG4BC40WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
110 мкДж
Наличие:
234 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 195,42
IRG4IBC20UDPBF IRG4IBC20UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11.4 А, 34 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
11.4 А
Импульсный ток коллектора макс.:
52 А
Макс. рассеиваемая мощность:
34 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
Наличие:
1 242 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 60,96
Акция
IRG4PC40FPBF IRG4PC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
49 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
Наличие:
145 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 500,94
Акция
IRG4PC40SPBF IRG4PC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 428,16
Акция
IRG4PC40WPBF IRG4PC40WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
110 мкДж
Наличие:
137 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
229 шт
Цена от:
от 552,18
IRG4PSC71UPBF IRG4PSC71UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO274AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
85 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
350 Вт
Переключаемая энергия:
420 мкДж
Наличие:
179 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 559,20
Акция
IRGB15B60KDPBF IRGB15B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 208 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
31 А
Импульсный ток коллектора макс.:
62 А
Макс. рассеиваемая мощность:
208 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
Наличие:
116 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 242,76
IRGB4056DPBF IRGB4056DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 140 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
24 А
Импульсный ток коллектора макс.:
48 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
75 мкДж
Наличие:
50 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 269,34
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"