Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (203)
Акция
IRG4PC50UDPBF IRG4PC50UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
55 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
990 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
382 шт
Цена от:
от 136,09
IRG4PSC71KDPBF IRG4PSC71KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 85 А, 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247 (TO-274AA)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
85 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
350 Вт
Переключаемая энергия:
3.95 мДж
IRG4PSC71KPBF IRG4PSC71KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 85 А, 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247 (TO-274AA)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
85 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
350 Вт
Переключаемая энергия:
790 мкДж
IRGB30B60KPBF IRGB30B60KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 78 А, 370 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
78 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
370 Вт
Переключаемая энергия:
350 мкДж
IRGB4045DPBF IRGB4045DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
12 А
Импульсный ток коллектора макс.:
18 А
Макс. рассеиваемая мощность:
77 Вт
Переключаемая энергия:
56 мкДж
Акция
IRGB4061DPBF IRGB4061DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 36 А, 206 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
36 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
206 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
IRGB4064DPBF IRGB4064DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 101 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
101 Вт
Переключаемая энергия:
29 мкДж
Акция
IRGB4610DPBF IRGB4610DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 77 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
18 А
Макс. рассеиваемая мощность:
77 Вт
Переключаемая энергия:
56 мкДж
IRGB4615DPBF IRGB4615DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 99 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
24 А
Макс. рассеиваемая мощность:
99 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
IRGIB15B60KD1P IRGIB15B60KD1P Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 19 А, 52 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
19 А
Импульсный ток коллектора макс.:
38 А
Макс. рассеиваемая мощность:
52 Вт
Переключаемая энергия:
127 мкДж
IRGIB6B60KDPBF IRGIB6B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 38 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
38 Вт
Переключаемая энергия:
110 мкДж
IRGP35B60PDPBF IRGP35B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
308 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
IRGP4066DPBF IRGP4066DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 140 А, 454 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
140 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
454 Вт
Переключаемая энергия:
2.47 мДж
IRGP4066PBF IRGP4066PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 140 А, 454 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
140 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
454 Вт
Переключаемая энергия:
2.47 мДж
IRGP4069D-EPBF IRGP4069D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
76 А
Импульсный ток коллектора макс.:
105 А
Макс. рассеиваемая мощность:
268 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
IRGP4069DPBF IRGP4069DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
76 А
Импульсный ток коллектора макс.:
105 А
Макс. рассеиваемая мощность:
268 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Акция
IRGP4620DPBF IRGP4620DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
32 А
Импульсный ток коллектора макс.:
36 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
75 мкДж
IRGP4630DPBF IRGP4630DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 47 А, 206 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
47 А
Импульсный ток коллектора макс.:
54 А
Макс. рассеиваемая мощность:
206 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Акция
IRGP50B60PDPBF IRGP50B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 370 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
370 Вт
Переключаемая энергия:
360 мкДж
IRGP6640DPBF IRGP6640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 53 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
53 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
300 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"