Одиночные IGBT транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (203)

HGTG20N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 280 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 105 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

HGTG30N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт Производитель: ON Semiconductor Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 463 Вт Переключаемая энергия: 280 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTG30N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3LD (Case 340CK) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 463 Вт Переключаемая энергия: 280 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTG30N60B3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 208 Вт Переключаемая энергия: 550 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTP12N60C3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 104 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 24 А Импульсный ток коллектора макс.: 96 А Макс. рассеиваемая мощность: 104 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж

Сообщить о поступлении

IGW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 333 Вт Переключаемая энергия: 2.36 мДж

Сообщить о поступлении

IRG4BC20KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 16 А Импульсный ток коллектора макс.: 32 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 340 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4BC20UD-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 13 А Импульсный ток коллектора макс.: 52 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 160 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4BC30FD-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 31 А Импульсный ток коллектора макс.: 124 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 630 мкДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

92 шт

Цена от:

от 168,65₽

Новинка

IRG4BC30FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 31 А Импульсный ток коллектора макс.: 124 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 230 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4BC30KD-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 28 А Импульсный ток коллектора макс.: 56 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4BC30SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 34 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 34 А Импульсный ток коллектора макс.: 68 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 260 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4BC30W-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 130 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4BC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 49 А Импульсный ток коллектора макс.: 196 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4IBC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 17 А, 45 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Full-Pak Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 17 А Импульсный ток коллектора макс.: 34 А Макс. рассеиваемая мощность: 45 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4IBC30UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 17 А, 45 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220FP Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 17 А Импульсный ток коллектора макс.: 68 А Макс. рассеиваемая мощность: 45 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PC30FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 31 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 630 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 28 А Импульсный ток коллектора макс.: 58 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PC30SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 34 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 34 А Импульсный ток коллектора макс.: 68 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 260 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PC30UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 160 мкДж

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"