Одиночные IGBT транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (203)

FGB20N60SF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 208 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 208 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж

Сообщить о поступлении

FGD3N60LSDTM Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6 А, 40 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 6 А Импульсный ток коллектора макс.: 25 А Макс. рассеиваемая мощность: 40 Вт Переключаемая энергия: 250 мкДж

Сообщить о поступлении

FGH20N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 165 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж

Сообщить о поступлении

FGH30N60LSDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 480 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 480 Вт Переключаемая энергия: 1.1 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.13 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N60SFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.13 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 349 Вт Переключаемая энергия: 870 мкДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

60 шт

Цена от:

от 654,55₽

Акция

FGH40N60SMDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 349 Вт Переключаемая энергия: 1.3 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.19 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.19 мДж

Сообщить о поступлении

FGH50N6S2D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 463 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 463 Вт Переключаемая энергия: 260 мкДж

Сообщить о поступлении

FGH60N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 378 Вт Переключаемая энергия: 1.79 мДж

Сообщить о поступлении

FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 600 Вт Переключаемая энергия: 1.26 мДж

Сообщить о поступлении

FGH75N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 452 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 150 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 452 Вт Переключаемая энергия: 3.05 мДж

Сообщить о поступлении

FGP10N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 139 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 139 Вт Переключаемая энергия: 150 мкДж

Сообщить о поступлении

FGY75N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 750 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 150 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 750 Вт Переключаемая энергия: 2.3 мДж

Сообщить о поступлении

HGT1S12N60A4DS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 54 А Импульсный ток коллектора макс.: 96 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 55 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTD7N60C3S9A Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 60 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 14 А Импульсный ток коллектора макс.: 56 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 165 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTG12N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 54 А Импульсный ток коллектора макс.: 96 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 55 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTG20N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт, 200 кГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 280 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 105 мкДж

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"