Одиночные IGBT транзисторы

203
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (203)
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.19 мДж
FGH40N60UFTU FGH40N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.19 мДж
FGH50N6S2D FGH50N6S2D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
463 Вт
Переключаемая энергия:
260 мкДж
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
378 Вт
Переключаемая энергия:
1.79 мДж
FGH60N60SMD FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
600 Вт
Переключаемая энергия:
1.26 мДж
FGH75N60UFTU FGH75N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 452 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
150 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
452 Вт
Переключаемая энергия:
3.05 мДж
FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 139 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
139 Вт
Переключаемая энергия:
150 мкДж
FGY75N60SMD FGY75N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 750 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
150 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
750 Вт
Переключаемая энергия:
2.3 мДж
HGT1S12N60A4DS HGT1S12N60A4DS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
54 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
HGTD7N60C3S9A HGTD7N60C3S9A Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 60 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
14 А
Импульсный ток коллектора макс.:
56 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
165 мкДж
HGTG12N60A4D HGTG12N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
54 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт, 200 кГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
280 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
105 мкДж
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
280 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
105 мкДж
Акция
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
463 Вт
Переключаемая энергия:
280 мкДж
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3LD (Case 340CK)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
463 Вт
Переключаемая энергия:
280 мкДж
HGTG30N60B3D HGTG30N60B3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
208 Вт
Переключаемая энергия:
550 мкДж
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 104 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
24 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
104 Вт
Переключаемая энергия:
380 мкДж
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
333 Вт
Переключаемая энергия:
2.36 мДж
IRG4BC20KDPBF IRG4BC20KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
32 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
340 мкДж
IRG4BC20UD-SPBF IRG4BC20UD-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
13 А
Импульсный ток коллектора макс.:
52 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"