Одиночные IGBT транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (66)

IRG4PH50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 57 А Импульсный ток коллектора макс.: 114 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PH50UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 2.1 мДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 828 шт

Цена от:

от 252,94₽

IRG4PH50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 530 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PSH71KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 78 А, 350 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO274AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 78 А Импульсный ток коллектора макс.: 156 А Макс. рассеиваемая мощность: 350 Вт Переключаемая энергия: 5.68 мДж

Сообщить о поступлении

IRG7PH30K10DPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 180 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 27 А Макс. рассеиваемая мощность: 180 Вт Переключаемая энергия: 530 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG7PH42U-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 90 А, 385 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 90 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 385 Вт Переключаемая энергия: 2.11 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG7PH42UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 85 А, 320 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 85 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 320 Вт Переключаемая энергия: 2.11 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG7PH42UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 78 А, 385 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 90 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 385 Вт Переключаемая энергия: 2.11 мДж

Сообщить о поступлении

IRG7PH46UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 2.61 мДж

Сообщить о поступлении

IRG7PH46UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 130 А, 469 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 130 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 469 Вт Переключаемая энергия: 2.56 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG7PH50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 140 А, 556 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 140 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 556 Вт Переключаемая энергия: 3.6 мДж

Сообщить о поступлении

IRGP20B120U-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 300 Вт Переключаемая энергия: 850 мкДж

Сообщить о поступлении

IRGP30B120KD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 300 Вт Переключаемая энергия: 1.07 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRGPS40B120UDP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 595 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 (TO-274AA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 595 Вт Переключаемая энергия: 1.4 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRGPS40B120UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 595 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 (TO-274AA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 595 Вт Переключаемая энергия: 1.4 мДж

Сообщить о поступлении

IRGPS60B120KDP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 105 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 (TO-274AA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 105 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 595 Вт Переключаемая энергия: 3.21 мДж

Сообщить о поступлении

NGTB40N120FL2WG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 535 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 535 Вт Переключаемая энергия: 3.4 мДж

Сообщить о поступлении

SGP07N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 16.5 А Импульсный ток коллектора макс.: 27 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт Переключаемая энергия: 1 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

SGP15N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 52 А Макс. рассеиваемая мощность: 198 Вт Переключаемая энергия: 1.9 мДж

Сообщить о поступлении

STGD5NB120SZ-1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5 А, 55 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 10 А Импульсный ток коллектора макс.: 10 А Макс. рассеиваемая мощность: 75 Вт Переключаемая энергия: 2.59 мДж

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"