Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (58)
IRGR2B60KDTRRPBF IGBT 600V 6.3A 35W DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 6.3A Импульсный ток коллектора макс.: 8A Макс. рассеиваемая мощность: 35W Переключаемая энергия: 74 µJ (on), 39 µJ (off)
IRGR3B60KD2TRRP Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7.8 А, 52 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 7.8A Макс. рассеиваемая мощность: 52W
IXGH48N60C3 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 300 Вт TO247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 75A Импульсный ток коллектора макс.: 250A Макс. рассеиваемая мощность: 300W Переключаемая энергия: 410 µJ (on), 230 µJ (off)
IXGR48N60C3D1 Биполярный транзистор IGBT, 125 Вт, 600 В, 56 А 125 Вт Производитель: Littelfuse Корпус: ISOPLUS247[тм] Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 56A Макс. рассеиваемая мощность: 125W
IXXH50N60C3 IGBT 600V 100A 600W TO247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 100A Импульсный ток коллектора макс.: 200A Макс. рассеиваемая мощность: 600W Переключаемая энергия: 720 µJ (on), 330 µJ (off)
Акция IXXH50N60C3D1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 600 Вт Производитель: Littelfuse Корпус: TO-247 (IXXH) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 100A Макс. рассеиваемая мощность: 600W
Акция SGH40N60UFD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 160W
SGW30N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 41A Макс. рассеиваемая мощность: 250W
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
70 шт
Цена от:
от 615,94
STGB19NC60HDT4 IGBT 600V 40A 130W D2PAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 130W Переключаемая энергия: 85 µJ (on), 189 µJ (off)
STGD3HF60HDT4 IGBT 600V 7.5A 38W DPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 7.5A Импульсный ток коллектора макс.: 18A Макс. рассеиваемая мощность: 38W Переключаемая энергия: 19 µJ (on), 12 µJ (off)
STGP20V60DF IGBT 600V 40A 167W TO220AB Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 167W Переключаемая энергия: 200 µJ (on), 130 µJ (off)
STGP30V60DF IGBT 600V 60A 258W TO220AB Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 258W Переключаемая энергия: 383 µJ (on), 233 µJ (off)
STGW40H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 283W Переключаемая энергия: 363 мкДж
Акция STGW40V60DLF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 283W Переключаемая энергия: 411 мкДж
STGW60H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 375W Переключаемая энергия: 626 мкДж
STGW60V60F IGBT 600V 80A 375W TO247 Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 240A Макс. рассеиваемая мощность: 375W Переключаемая энергия: 750 µJ (on), 550 µJ (off)
STGWT30H60DFB IGBT N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3PBL Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 260W Переключаемая энергия: 383 µJ (on), 293 µJ (off)
STGWT40H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 40 А, 283 Вт, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 40A Переключаемая энергия: 363 мкДж
  • 1
  • 2
  • 3
  • Далее
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"