Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (58)
IRGR2B60KDTRRPBF IRGR2B60KDTRRPBF IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
6.3A
Импульсный ток коллектора макс.:
8A
Макс. рассеиваемая мощность:
35W
Переключаемая энергия:
74 µJ (on), 39 µJ (off)
IRGR3B60KD2TRRP IRGR3B60KD2TRRP Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7.8 А, 52 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
7.8A
Макс. рассеиваемая мощность:
52W
IXGH48N60C3 IXGH48N60C3 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 300 Вт TO247AD
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
75A
Импульсный ток коллектора макс.:
250A
Макс. рассеиваемая мощность:
300W
Переключаемая энергия:
410 µJ (on), 230 µJ (off)
Акция
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 Биполярный транзистор IGBT, 125 Вт, 600 В, 56 А 125 Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
ISOPLUS247[тм]
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
56A
Макс. рассеиваемая мощность:
125W
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3 IGBT 600V 100A 600W TO247AD
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
100A
Импульсный ток коллектора макс.:
200A
Макс. рассеиваемая мощность:
600W
Переключаемая энергия:
720 µJ (on), 330 µJ (off)
Акция
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 600 Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-247 (IXXH)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
100A
Макс. рассеиваемая мощность:
600W
Акция
SGH40N60UFD SGH40N60UFD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Макс. рассеиваемая мощность:
160W
SGW30N60HS SGW30N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
41A
Макс. рассеиваемая мощность:
250W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
70 шт
Цена от:
от 444,48
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 IGBT 600V 40A 130W D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
130W
Переключаемая энергия:
85 µJ (on), 189 µJ (off)
STGD3HF60HDT4 STGD3HF60HDT4 IGBT 600V 7.5A 38W DPAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
7.5A
Импульсный ток коллектора макс.:
18A
Макс. рассеиваемая мощность:
38W
Переключаемая энергия:
19 µJ (on), 12 µJ (off)
STGP20V60DF STGP20V60DF IGBT 600V 40A 167W TO220AB
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
167W
Переключаемая энергия:
200 µJ (on), 130 µJ (off)
STGP30V60DF STGP30V60DF IGBT 600V 60A 258W TO220AB
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Импульсный ток коллектора макс.:
120A
Макс. рассеиваемая мощность:
258W
Переключаемая энергия:
383 µJ (on), 233 µJ (off)
STGW40H60DLFB STGW40H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
283W
Переключаемая энергия:
363 мкДж
Акция
STGW40V60DLF STGW40V60DLF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
283W
Переключаемая энергия:
411 мкДж
STGW60H60DLFB STGW60H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
375W
Переключаемая энергия:
626 мкДж
STGW60V60F STGW60V60F IGBT 600V 80A 375W TO247
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
240A
Макс. рассеиваемая мощность:
375W
Переключаемая энергия:
750 µJ (on), 550 µJ (off)
STGWT30H60DFB STGWT30H60DFB IGBT N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3PBL
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Импульсный ток коллектора макс.:
120A
Макс. рассеиваемая мощность:
260W
Переключаемая энергия:
383 µJ (on), 293 µJ (off)
STGWT40H60DLFB STGWT40H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 40 А, 283 Вт, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Переключаемая энергия:
363 мкДж
  • 1
  • 2
  • 3
  • Далее
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"