Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (684)
SGB07N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 16.5A Макс. рассеиваемая мощность: 125W
SGB10N60A Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 92 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO263-3
SGB8206ANSL3G Производитель: Littelfuse
SGB8206ANT4G Производитель: Littelfuse
SGD02N120BUMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA
SGD02N120BUMA1 Производитель: Infineon Technologies
SGF5N150UFTU Биполярный транзистор IGBT, 1500 В, 10 А, 62.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1500 В Макс. ток коллектора: 10 А Импульсный ток коллектора макс.: 20 А Макс. рассеиваемая мощность: 62.5 Вт Переключаемая энергия: 190 мкДж
SGH30N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 235 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P
Акция SGH40N60UFD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 160W
SGH80N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 195 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 195 Вт Переключаемая энергия: 570 мкДж
SGL160N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 160 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 160 А Импульсный ток коллектора макс.: 300 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 2.5 мДж
SGL50N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 1.68 мДж
SGP02N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 6.2 А Импульсный ток коллектора макс.: 9.6 А Макс. рассеиваемая мощность: 62 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж
SGP02N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 6.2A Макс. рассеиваемая мощность: 62W
SGP07N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 16.5 А Импульсный ток коллектора макс.: 27 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт Переключаемая энергия: 1 мДж
Акция SGP15N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 52 А Макс. рассеиваемая мощность: 198 Вт Переключаемая энергия: 1.9 мДж
SGP23N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж
SGS10N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 55 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 16 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 55 Вт Переключаемая энергия: 141 мкДж
SGS23N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 73 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 73 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж
SGW15N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 15 А, 198 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"