Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (684)
NGTB50N60FL2WG Производитель: ON Semiconductor
NGTG15N60S1EG Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
Акция RJH3077DPK Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-3P
Акция RJH30H1DPP Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 360V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 40W
Акция RJH60F5DPK Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-3P
Акция RJK5020DPK Полевой транзистор, N-канал, 500 В, 40 А, 200 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-3P
Акция RJK6015DPK Полевой транзистор, N-канал, 600 В, 21 А, 150 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-3P
Акция RJP3065DPP Биполярный транзистор IGBT, 320 В, 40 А, 30 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F
Акция RJP30E2DPP Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А, 25 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F
Акция RJP30E3DPP Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 40 А, 30 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F
RJP30H1DPD Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 360V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 40W
RJP30H2ADPE Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 360V Макс. ток коллектора: 35A
RJP43F4ADPP Биполярный транзистор IGBT, 30 Вт, 430 В, 40 А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 30W
RJP6065DPP Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А, 30 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 630V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 30W
RJP63F3ADPP Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А, 30 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 630V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 30W
Акция RJP63F4DPP Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F
RJP63G4DPE Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: D2Pak (TO-263)
SGB02N120ATMA1 Производитель: Infineon Technologies
SGB07N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 16.5A Макс. рассеиваемая мощность: 125W
SGB10N60A Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 92 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO263-3
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"