Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (683)
IRG4BC20UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6.5 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB
IRG4BC20UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB
IRG4BC30FD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220
Новинка IRG4BC30FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 31 А Импульсный ток коллектора макс.: 124 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 230 мкДж
IRG4BC30KD-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 28 А Импульсный ток коллектора макс.: 56 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж
IRG4BC30KDSTRLP IGBT 600V 28A 100W D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
IRG4BC30SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 34 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 34 А Импульсный ток коллектора макс.: 68 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 260 мкДж
IRG4BC30W-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 130 мкДж
IRG4BC30W-STRLP Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
Акция IRG4BC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 49 А Импульсный ток коллектора макс.: 196 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж
IRG4BH20K-LPBF IGBT 1200V 11A 60W TO262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 11A Импульсный ток коллектора макс.: 22A Макс. рассеиваемая мощность: 60W Переключаемая энергия: 450 µJ (on), 440 µJ (off)
IRG4BH20K-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 22 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 450 мкДж
IRG4BH20K-STRLP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 22 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 450 мкДж
IRG4IBC10UDPBF IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 6.8A Импульсный ток коллектора макс.: 27A Макс. рассеиваемая мощность: 25W Переключаемая энергия: 140 µJ (on), 120 µJ (off)
IRG4IBC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 17 А, 45 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 17 А Импульсный ток коллектора макс.: 34 А Макс. рассеиваемая мощность: 45 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж
IRG4IBC30UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 17 А, 45 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220FP Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 17 А Импульсный ток коллектора макс.: 68 А Макс. рассеиваемая мощность: 45 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж
IRG4IBC30WPBF IGBT 600V 17A 45W TO220FP Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F
IRG4P254S Биполярный транзистор IGBT, 250 В, 98 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 250 В Макс. ток коллектора: 98 А Импульсный ток коллектора макс.: 196 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж
IRG4PC30FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 31 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 630 мкДж
IRG4PC30FPBF IGBT 600V 31A 100W TO247AC Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 31A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 100W Переключаемая энергия: 230 µJ (on), 1.18mJ (off)
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"