Одиночные IGBT транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (66)

FGA25N120ANTDTU Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 312 Вт Переключаемая энергия: 4.1 мДж

Сообщить о поступлении

FGH25N120FTDS Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 313 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 75 А Макс. рассеиваемая мощность: 313 Вт Переключаемая энергия: 1.42 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 555 Вт Переключаемая энергия: 2.7 мДж

Сообщить о поступлении

FGL40N120ANTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 64 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 500 Вт Переключаемая энергия: 2.3 мДж

Сообщить о поступлении

HGT1S10N120BNST Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 35 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 298 Вт Переключаемая энергия: 320 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTD1N120BNS9A Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 5.3 А Импульсный ток коллектора макс.: 6 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 70 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTG11N120CND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 43 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 298 Вт Переключаемая энергия: 950 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTP10N120BN Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 35 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 298 Вт Переключаемая энергия: 320 мкДж

Сообщить о поступлении

IGW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 100 А Макс. рассеиваемая мощность: 326 Вт Переключаемая энергия: 2.65 мДж

Сообщить о поступлении

IRG4BH20K-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 22 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 450 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4BH20K-STRLP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 22 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 450 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PH20KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 22 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 620 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PH20KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 22 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 450 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PH30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 950 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PH30KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 640 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PH40KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 1.31 мДж

Сообщить о поступлении

IRG4PH40UD-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 41 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 41 А Импульсный ток коллектора макс.: 82 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж

Сообщить о поступлении

IRG4PH40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 41 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 41 А Импульсный ток коллектора макс.: 82 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 1.04 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PH50KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 3.83 мДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 828 шт

Цена от:

от 252,94₽

IRG4PH50KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.21 мДж

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"