Одиночные IGBT транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (203)

STGF7NB60SL Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 25 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 15 А Импульсный ток коллектора макс.: 20 А Макс. рассеиваемая мощность: 25 Вт Переключаемая энергия: 4.1 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

STGF7NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 25 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 10 А Импульсный ток коллектора макс.: 50 А Макс. рассеиваемая мощность: 25 Вт Переключаемая энергия: 95 мкДж

Сообщить о поступлении

STGP10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 115 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 115 Вт Переключаемая энергия: 83 мкДж

Сообщить о поступлении

STGP10NB60SD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 29 А, 80 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 29 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 80 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж

Сообщить о поступлении

STGP15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 115 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 115 Вт Переключаемая энергия: 136 мкДж

Сообщить о поступлении

STGP19NC60SD Биполярный транзистор IGBT, 10 КГц, 20 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 130 Вт Переключаемая энергия: 135 мкДж

Сообщить о поступлении

STGP19NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 22 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт Переключаемая энергия: 81 мкДж

Сообщить о поступлении

STGP20V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 200 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

STGP30NC60W Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 305 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

STGP30V60F Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 260 Вт Переключаемая энергия: 383 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

STGPL6NC60D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 14 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 56 Вт Переключаемая энергия: 46.5 мкДж

Сообщить о поступлении

STGW20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 209 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

STGW20V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 200 мкДж

Сообщить о поступлении

STGW30NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 125 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 350 мкДж

Сообщить о поступлении

STGW35HF60WDA Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 35 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 290 мкДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

90 шт

Цена от:

от 202,76₽

STGW35NB60SD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 250 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 840 мкДж

Сообщить о поступлении

STGW40NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 38 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 595 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

STGW40NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 250 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 230 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 302 мкДж

Сообщить о поступлении

STGW40V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 456 мкДж

Сообщить о поступлении

STGW80V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 469 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 469 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"