Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (684)
FGA25N120ANTDTU Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 312 Вт Переключаемая энергия: 4.1 мДж
FGA25S125P Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 50 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1250 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 75 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт
FGA30S120P IGBT 1300V 60A 348W TO3P Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P
FGA50N100BNTD2 Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1000 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 156 Вт
FGA60N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 298 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 298 Вт Переключаемая энергия: 1.81 мДж
FGA60N65SMD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PN Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 600 Вт Переключаемая энергия: 1.54 мДж
FGA90N33ATDTU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 90 А, 223 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P
FGAF40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 79 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF
FGB20N60SF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 208 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 208 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж
FGB3040CS Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 21A Макс. рассеиваемая мощность: 150W
FGD3040G2-F085 Trans IGBT Chip N-CH 390V 25.6A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 390 В Макс. ток коллектора: 25.6 А Макс. рассеиваемая мощность: 150 Вт
FGD3N60LSDTM Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6 А, 40 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 6 А Импульсный ток коллектора макс.: 25 А Макс. рассеиваемая мощность: 40 Вт Переключаемая энергия: 250 мкДж
FGD3N60UNDF IGBT 600V 6A 60W DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 6A Импульсный ток коллектора макс.: 9A Макс. рассеиваемая мощность: 60W Переключаемая энергия: 52 µJ (on), 30 µJ (off)
FGH20N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 165 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж
FGH20N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247
FGH25N120FTDS Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 313 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 75 А Макс. рассеиваемая мощность: 313 Вт Переключаемая энергия: 1.42 мДж
FGH30N60LSDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 480 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 480 Вт Переключаемая энергия: 1.1 мДж
FGH30S130P Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1300 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 500 Вт
FGH40N120ANTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 417 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.13 мДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"