Одиночные IGBT транзисторы

690
Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (690)
AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
57 А
Импульсный ток коллектора макс.:
114 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
Наличие:
92 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 382,02
DG20X06T2 DG20X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247
Наличие:
128 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 196,80
Акция
DG25X12T2 DG25X12T2 Транзистор биполярный IGBT со встроенным диодом 1200В/25А общего применения
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247-3
Наличие:
98 шт

Внешние склады:
1 110 шт
Цена от:
от 143,82
DG40F12T2 DG40F12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247
Наличие:
317 шт

Внешние склады:
1 544 шт
Цена от:
от 238,26
DG40X12T2 DG40X12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247
Наличие:
314 шт

Внешние склады:
2 111 шт
Цена от:
от 315,66
DG50X06T2 DG50X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600В 100А 714Вт
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247
Наличие:
131 шт

Внешние склады:
2 601 шт
Цена от:
от 229,56
DG75Q12T2 DG75Q12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 150A 937Вт
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247
Наличие:
67 шт

Внешние склады:
3 066 шт
Цена от:
от 542,46
DG75X12T2 DG75X12T2 Биполярный транзистор IGBT, 1200В 150A TO-247 PLUS
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247
Наличие:
45 шт

Внешние склады:
1 073 шт
Цена от:
от 640,32
GT50JR22 GT50JR22 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
230W
Наличие:
9 005 шт

Внешние склады:
3 179 шт
Цена от:
от 103,68
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
142 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 327,72
Акция
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT 600В 20А TO-247
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
Наличие:
229 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
135 шт
Цена от:
от 300,54
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
306W
Наличие:
47 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 447,60
IGW40T120FKSA1 IGW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
75A
Макс. рассеиваемая мощность:
270W
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 618,12
IGW60T120FKSA1 IGW60T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
9.5 мДж
Наличие:
224 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 630,96
IHW20N120R3FKSA1 IHW20N120R3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
40A
Макс. рассеиваемая мощность:
310W
Переключаемая энергия:
950 мкДж
Наличие:
964 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 211,32
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 А, 288 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1350V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
288W
Переключаемая энергия:
950 µJ (off)
Наличие:
1 575 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 132,78
Акция
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Наличие:
87 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 387,84
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5XKSA1 Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Наличие:
264 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 207,96
IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1600V
Макс. ток коллектора:
30A
Макс. рассеиваемая мощность:
310W
Наличие:
80 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1 620,90
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1600 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
310 Вт
Наличие:
1 305 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 280,86
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"