Полевые транзисторы

Новинки

Новинка
IPB010N06NATMA1
Наличие:
0 шт
Под заказ:
500 шт
Цена от: 550,09
Новинка
STT6N3LLH6
Наличие:
913 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 39,90
Новинка
STW11NK90Z
Наличие:
298 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 165,45
Новинка
IPD70R900P7SAUMA1
Наличие:
450 шт
Под заказ:
2 300 шт
Цена от: 38,58
Новинка
AUIRFR4615TRL
Наличие:
288 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 220,10
Новинка
AUIRLR120NTRL
Наличие:
196 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 161,43
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(7771)
IRF644STRRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
IRF6613TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MT Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 23A(Ta),150A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм @ 23А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В @ 250 µA Заряд затвора: 63нКл @ 4.5В Входная емкость: 5950пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
IRF6614TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12.7 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] ST Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12.7A Сопротивление открытого канала: 8.3 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 2560пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF6623TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] ST Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF6641TRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 4.6А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.6A(Ta),26A(Tc) Сопротивление открытого канала: 59.9 мОм @ 5.5А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 150 µA Заряд затвора: 48нКл @ 10В Входная емкость: 2290пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRF6643TRPBF Полевой транзистор N-канальный 150В 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 34.5 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 2340пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF6644TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10.3A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10.3A(Ta),60A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 10.3А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.8В @ 150 µA Заряд затвора: 47нКл @ 10В Входная емкость: 2210пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRF6646TRPBF Транзистор полевой N-канальный 80В 12A 7-Pin Direct-FET MN лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 12A(Ta),68A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 150 µA Заряд затвора: 50нКл @ 10В Входная емкость: 2060пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRF6648TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 86A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 86A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2120пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF6662TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A(Ta),47A(Tc) Сопротивление открытого канала: 22 мОм @ 8.2А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 31нКл @ 10В Входная емкость: 1360пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRF6714MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 29A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 29A(Ta),166A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм @ 29А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 100 µA Заряд затвора: 44нКл @ 4.5В Входная емкость: 3890пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount
IRF6716MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 39A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 39A(Ta),180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 40А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 100 µA Заряд затвора: 59нКл @ 4.5В Входная емкость: 5150пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount
IRF6726MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MT Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32A(Ta),180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм @ 32А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 150 µA Заряд затвора: 77нКл @ 4.5В Входная емкость: 6140пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF6727M Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32А Тип транзистора: N-канальный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
15 664 шт
Цена от:
от 99,89
IRF6775MTRPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1411пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF6795MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 32A DIRECTFET-MX Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 32A(Ta),160A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм @ 32А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 100 µA Заряд затвора: 53нКл @ 4.5В Входная емкость: 4280пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount
IRF6811STRPBF Транзистор полевой N-канальный 25В 19A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] SQ Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1590пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF7101PBF Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3.5 А, 2 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
500 шт
Цена от:
от 43,17
Акция IRF7103PBF Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 50 В, 3 А, 2 Вт, 0.13 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: стандартный Максимальное напряжение сток-исток: 50 В Маскимальный ток стока: 3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
50 532 шт
Цена от:
от 21,59
IRF7103TRPBF Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 50 В, 3 А, 2 Вт Производитель: Hottech Co. Ltd Корпус: SO-8
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
50 532 шт
Цена от:
от 15,93
На странице:

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы (другое название — униполярные) — это полупроводниковые приборы, которые работают на базе управления электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Области использования полевых транзисторов чрезвычайно широки — аналоговые и цифровые интегральные схемы, электронных часах, пультах дистанционного управления и так далее.

Выбор транзистора

Транзисторы всегда выбирают в соответствии с их видами и характеристиками. Для этого используют справочники, дополнительную литературу или интернет-ресурсы. Полевые транзисторы делятся на две подтипа — с управляющим p-n переходом, а также с изолированным затвором. Каждый из них делится еще на ряд подтипов. Их вы можете недорого купить у группы компаний «Промэлектроника». Всю необходимую информацию и характеристики вы найдете в каталоге на официальном сайте предприятия.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» выделяется среди конкурентов наличием большого количества преимуществ, которые стали результатом ее работы на рынке разработки и реализации товаров для электротехники с 1993 года. Итак, к преимуществам относится:

  • большой выбор товаров для электротехники и электроники, запасные части, комплектующие и прочее;
  • наличие собственного большого склада, что обеспечивает постоянное наличие необходимой продукции;
  • возможность торговли товарами оптом и в розницу;
  • различные формы оплаты;
  • консультации на предмет выбора необходимого вам оборудования;
  • доставка покупок по территории Российской Федерации;
  • низкие цены.

Чтобы подробно ознакомиться с представленными товарами, пожалуйста, перейдите в каталог. В случае возникновения вопросов обращайтесь к менеджерам.

Цена на Полевые транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Полевые транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Полевые транзисторы - от 4.22 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Полевые транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Полевые транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"