Сборки MOSFET транзисторов Vishay

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Максимальное напряжение сток-исток
Маскимальный ток стока
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (94)
SI4932DY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 8 А Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 Вт
SI4936BDY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 6.9 А Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 Вт
SI4936CDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.8 А, 2.3 Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 5.8 А Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 Вт
SI4943CDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 8 А Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
SI4946BEY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 6.5 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 6.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 Вт
SI4946BEY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 6.5 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 6.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 Вт
SI4948BEY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 2.4 А Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 2.4 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 Вт
SI4948BEY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 2.4 А Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 2.4 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 Вт
SI4953ADY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 3.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 3.7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 Вт
SI4963BDY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 4.9 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 Вт
SI4963BDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 4.9 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 Вт
SI5504BDC-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 4 А, 3.7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 3.12 Вт, 3.1 Вт
SI5504BDC-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 4 А, 3.7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 3.12 Вт, 3.1 Вт
SI5513CDC-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 4 А, 3.7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
SI5513CDC-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 4 А, 3.7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
SI5515CDC-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 4 А Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
SI5517DU-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Dual Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 6 А Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 Вт
SI5902BDC-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 4 А Максимальная рассеиваемая мощность: 3.12 Вт
SI5908DC-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.4 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 4.4 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 Вт
SI5935CDC-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: стандартный Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 4 А Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
На странице: