Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Максимальное напряжение сток-исток
Маскимальный ток стока
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (175)
NTHD4508NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3 А, 1.13Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET[тм] Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.13 Вт
Акция NTJD1155LT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 8 В, 1.3 А, 0.4Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: стандартный Максимальное напряжение сток-исток: 8 В Маскимальный ток стока: 1.3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 400 мВт
NTJD4001NT1G Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 0.25 А, 0.272 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC70-6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: стандартный Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 250 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 272 мВт
NTJD4105CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В/8 В, 0.27Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В, 8 В Маскимальный ток стока: 630 мА, 775 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 270 мВт
NTJD4105CT2G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В/8 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В, 8 В Маскимальный ток стока: 630 мА, 775 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 270 мВт
NTJD4152PT1G Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 880 мА, 0.27Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 880 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 272 мВт
NTJD4158CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В/20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В, 20 В Маскимальный ток стока: 250 мА, 880 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 270 мВт
NTJD4401NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 630 мА, 0.55Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 630 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 270 мВт
NTJD5121NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.295 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 295 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт
NTLJD3119CTBG Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 2.6 А, 2.3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 710 мВт
NTLJD4116NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 2.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 710 мВт
NTLUD3A260PZTAG Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 1.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: uDFN6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 1.3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 500 мВт
NTMD3P03R2G Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.34 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 2.34 А Максимальная рассеиваемая мощность: 730 мВт
NTMD4840NR2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 4.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 680 мВт
NTMD4N03R2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 4 А Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт
NTMD5838NLR2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 7.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 40 В Маскимальный ток стока: 7.4 А Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 Вт
NTMD6N02R2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3.92 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3.92 А Максимальная рассеиваемая мощность: 730 мВт
NTMD6N03R2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 6 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.29 Вт
NTMD6P02R2G Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 4.8 А Максимальная рассеиваемая мощность: 750 мВт
NTUD3169CZT5G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-963 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 220 мА, 200 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 125 мВт
На странице: