Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Максимальное напряжение сток-исток
Маскимальный ток стока
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (175)
FDY1002PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 0.83 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 830 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 446 мВт
FDY3000NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 600 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 446 мВт
FDY4000CZ Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 600 мА, 350 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 446 мВт
Новинка FQS4901TF Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 400 В, 0.45 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOP8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: стандартный Максимальное напряжение сток-исток: 400 В Маскимальный ток стока: 450 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт
FQS4903TF Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 500 В, 0.37 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: стандартный Максимальное напряжение сток-исток: 500 В Маскимальный ток стока: 370 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт
FW389-TL-2W Полевой транзистор Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: N+P-channel Максимальное напряжение сток-исток: 100V Маскимальный ток стока: 2A
MCH6662-TL-W Trans MOSFET N-CH 20V 2A 6-Pin MCPH T/R Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток: 20V Маскимальный ток стока: 2A
NDC7001C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 60 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 510 мА, 340 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
NDC7002N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 50 В, 510 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 50 В Маскимальный ток стока: 510 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
NDC7003P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 340 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 340 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
NDS9945 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 3.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
NDS9948 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 2.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 2.3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
NDS9952A Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 3.7 А, 2.9 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
NTGD3148NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
NTGD4167CT1G Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, P-канальный, 30 В, 2.6/1.9А 0.9Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-TSOP Тип транзистора: N+P-channel Максимальное напряжение сток-исток: 30V Маскимальный ток стока: 2.6A Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9W
NTHC5513T1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 1206 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 2.9 А, 2.2 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 Вт
NTHD3100CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 2.9 А, 3.2 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 Вт
NTHD3102CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А/3.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 4 А, 3.1 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 Вт
NTHD4102PT1G Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 2.9 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 Вт
NTHD4502NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 2.2 А Максимальная рассеиваемая мощность: 640 мВт
На странице: