Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки MOSFET транзисторов (175)

FDS4559 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 60 В, 3.5 А, 0.105 Ом, 2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 4.5 А, 3.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт

Сообщить о поступлении

FDS4897AC Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, 6.1 А/5.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 40 В Маскимальный ток стока: 6.1 А, 5.2 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS4897C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, 2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 40 В Маскимальный ток стока: 6.2 А, 4.4 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS4935A Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 7 А, 2 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS4935BZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 6.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 6.9 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS4953 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, -30 В, -5 А, 2 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6875 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 6 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6890A Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 7.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6892A Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8

Сообщить о поступлении

FDS6898A Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 9.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 9.4 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6898AZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 9.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 9.4 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6910 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 7.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6911 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 7.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6912A Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6 А, 1.6Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8N Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 6 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6930A Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 5.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6930B Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 5.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6961A Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8

Сообщить о поступлении

FDS6975 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 6 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6982AS Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6.3 А/8.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 6.3 А, 8.6 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6984AS Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.5 А/8.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8

Сообщить о поступлении