Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

175
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Максимальное напряжение сток-исток
Маскимальный ток стока
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (175)
FDMC8200 FDMC8200 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А/12 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-Power33 (3x3)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
8 А, 12 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт, 900 мВт
FDMC8200S FDMC8200S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6 А/8.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
6 А, 8.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт, 1 Вт
FDME1023PZT FDME1023PZT Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6(1.6x1.6)
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
2.6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
600 мВт
FDME1024NZT FDME1024NZT Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6(1.6x1.6)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
600 мВт
FDME1034CZT FDME1034CZT Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6(1.6x1.6)
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3.8 А, 2.6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
600 мВт
FDMQ8203 FDMQ8203 Сборка из полевых транзисторов, 2N/2P-канальный, 100 В/80 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP40
Тип транзистора:
2N/2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
100 В, 80 В
Маскимальный ток стока:
3.4 А, 2.6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.5 Вт
FDMQ8403 FDMQ8403 Сборка из полевых транзисторов, 4N-канальный, 100 В, 3.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MLP12-(5x4.5)
Тип транзистора:
4N-канальный
Особенности:
стандартный
Максимальное напряжение сток-исток:
100 В
Маскимальный ток стока:
3.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.9 Вт
FDMQ86530L FDMQ86530L Сборка из полевых транзисторов, 4N-канальный, 60 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MLP12-(5x4.5)
Тип транзистора:
4N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
60 В
Маскимальный ток стока:
8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.9 Вт
FDMS3602S FDMS3602S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 15 А/26 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
FDMS3669S FDMS3669S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 13 А/18 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
13 А, 18 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
FDMS3686S FDMS3686S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 13 А/23 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6)
FDMS7600AS FDMS7600AS Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 12 А/22 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
12 А, 22 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
FDMS7602S FDMS7602S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 12 А/17 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
12 А, 17 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
FDMS7700S FDMS7700S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 12 А/22 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
12 А, 22 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
FDMS8090 FDMS8090 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
100 В
Маскимальный ток стока:
10 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.2 Вт
FDMS9600S FDMS9600S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 12 А/16 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
12 А, 16 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
FDMS9620S FDMS9620S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.5 А/10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
7.5 А, 10 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
FDPC8011S FDPC8011S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 13 А/27 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
13 А, 27 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
800 мВт, 900 мВт
FDS3890 FDS3890 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 80 В, 4.7 А, 2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
80 В
Маскимальный ток стока:
4.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
FDS3992 FDS3992 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 4.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Максимальное напряжение сток-исток:
100 В
Маскимальный ток стока:
4.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.5 Вт
На странице: