Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

175
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Максимальное напряжение сток-исток
Маскимальный ток стока
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (175)
FDG6332C FDG6332C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC70-6
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
700 мА, 600 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6332C_F085 FDG6332C_F085 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
700 мА, 600 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6335N FDG6335N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
700 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG8842CZ FDG8842CZ Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В/-25 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В, 25 В
Маскимальный ток стока:
750 мА, 410 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG8850NZ FDG8850NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.75 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
750 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDMA1023PZ FDMA1023PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDMA1024NZ FDMA1024NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDMA1025P FDMA1025P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDMA1027P FDMA1027P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
FDMA1028NZ FDMA1028NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDMA1029PZ FDMA1029PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDMA1032CZ FDMA1032CZ Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3.7 А, 3.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDMA2002NZ FDMA2002NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.9 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
2.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
650 мВт
FDMA3023PZ FDMA3023PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.9 А, 1.4 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
2.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDMA3027PZ FDMA3027PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 3.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET 2x2
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
3.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDMA6023PZT FDMA6023PZT Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3.6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDMB2307NZ FDMB2307NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MLP6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальная рассеиваемая мощность:
800 мВт
FDMB3800N FDMB3800N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
4.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
750 мВт
FDMB3900AN FDMB3900AN Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DIP40
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
800 мВт
FDMC8030 FDMC8030 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 12 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
40 В
Маскимальный ток стока:
12 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
800 мВт
На странице: