Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

175
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Максимальное напряжение сток-исток
Маскимальный ток стока
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (175)
FDC6330L FDC6330L IC LOAD SWITCH INT 20VIN SSOT-6
Производитель:
ON Semiconductor
Маскимальный ток стока:
1.6A
FDC6333C FDC6333C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный 30 В, 2.5 А, 0.095 Ом, 0.96W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
2.5 А, 2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6401N FDC6401N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6420C FDC6420C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 3 А/2.2 А, 0.96W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3 А, 2.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6561AN FDC6561AN Сборка из полевых транзисторов, Dual N-канальный, 2.5 А, 30 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SuperSOT-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
2.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC8602 FDC8602 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 1.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Максимальное напряжение сток-исток:
100 В
Маскимальный ток стока:
1.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
690 мВт
Акция
FDD8424H FDD8424H Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, 9 А/6.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-4L
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
40 В
Маскимальный ток стока:
9 А, 6.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.3 Вт
FDG1024NZ FDG1024NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 1.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
1.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6301N FDG6301N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.22 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
220 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6301N_F085 FDG6301N_F085 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 220 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
220 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6303N FDG6303N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
500 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6304P FDG6304P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 25 В, 0.41 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
410 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6306P FDG6306P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
600 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6308P FDG6308P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
600 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6316P FDG6316P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 0.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
12 В
Маскимальный ток стока:
700 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6317NZ FDG6317NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
700 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6318PZ FDG6318PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
500 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6320C FDG6320C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 25 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
220 мА, 140 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
Акция
FDG6321C FDG6321C Сборка из полевых транзисторов, N/P-каналыный, 25 В, -0.41 А/0.5 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC70-6
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
500 мА, 410 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6322C FDG6322C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 25 В, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-6
Тип транзистора:
N and P-Channel
Особенности:
Logic Level Gate
Максимальное напряжение сток-исток:
25V
Маскимальный ток стока:
220mA, 410mA
Максимальная рассеиваемая мощность:
300mW
На странице: