Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки MOSFET транзисторов (175)

FDC6330L IC LOAD SWITCH INT 20VIN SSOT-6 Производитель: ON Semiconductor Маскимальный ток стока: 1.6A

Сообщить о поступлении

FDC6333C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный 30 В, 2.5 А, 0.095 Ом, 0.96W Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 2.5 А, 2 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт

Сообщить о поступлении

FDC6401N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт

Сообщить о поступлении

FDC6420C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 3 А/2.2 А, 0.96W Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3 А, 2.2 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт

Сообщить о поступлении

FDC6561AN Сборка из полевых транзисторов, Dual N-канальный, 2.5 А, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 2.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт

Сообщить о поступлении

FDC8602 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: стандартный Максимальное напряжение сток-исток: 100 В Маскимальный ток стока: 1.2 А Максимальная рассеиваемая мощность: 690 мВт

Сообщить о поступлении

Акция

FDD8424H Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, 9 А/6.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-4L Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 40 В Маскимальный ток стока: 9 А, 6.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 Вт

Сообщить о поступлении

FDG1024NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 1.2 А Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG6301N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.22 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 25 В Маскимальный ток стока: 220 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG6301N_F085 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 220 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 25 В Маскимальный ток стока: 220 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG6303N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 25 В Маскимальный ток стока: 500 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG6304P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 25 В, 0.41 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 25 В Маскимальный ток стока: 410 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG6306P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 600 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG6308P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 600 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG6316P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 0.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 12 В Маскимальный ток стока: 700 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG6317NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 700 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG6318PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 500 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG6320C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 25 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 25 В Маскимальный ток стока: 220 мА, 140 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG6321C Сборка из полевых транзисторов, N/P-каналыный, 25 В, -0.41 А/0.5 А, 0.3 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC70-6 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 25 В Маскимальный ток стока: 500 мА, 410 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG6322C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 25 В, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-6 Тип транзистора: N and P-Channel Особенности: Logic Level Gate Максимальное напряжение сток-исток: 25V Маскимальный ток стока: 220mA, 410mA Максимальная рассеиваемая мощность: 300mW

Сообщить о поступлении