Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Максимальное напряжение сток-исток
Маскимальный ток стока
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (175)
2N7002DW Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 115 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC70-6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 115 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 200 мВт
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
27 150 шт
Цена от:
от 1,66
2N7002V Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 280 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563F Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 280 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт
CPH6341-TL-W Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 30 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-CPH Тип транзистора: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток: 30V Маскимальный ток стока: 5A
ECH8660-TL-H Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-ECH
ECH8661-TL-H Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 7 А,/5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-ECH
ECH8668-TL-H Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 7.5 А,/5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-ECH
ECH8693R-TL-W Транзисторный массив, N-канальный, 24В 14А 1.4Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SMD8 Gull Wing
FDC3601N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 100 В Маскимальный ток стока: 1 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
FDC6301N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.22 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 25 В Маскимальный ток стока: 220 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
FDC6302P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 25 В, 0.12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6
FDC6303N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.68 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 25 В Маскимальный ток стока: 680 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
FDC6304P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 25 В, 0.46 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 25 В Маскимальный ток стока: 460 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
FDC6305N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 2.7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
FDC6306P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 1.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 1.9 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
FDC6310P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 2.2 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
FDC6312P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.3 А, 0.96Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 2.3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
FDC6318P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 12 В Маскимальный ток стока: 2.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
FDC6320C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 25 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 25 В Маскимальный ток стока: 220 мА, 120 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
Акция FDC6321C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 25 В, 0.68 А, 0.45 Ом, 0.9 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 25 В Маскимальный ток стока: 680 мА, 460 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
FDC6327C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 2.7 А, 1.9 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт
На странице: