Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Максимальное напряжение сток-исток
Маскимальный ток стока
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (175)
2N7002DW 2N7002DW Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 115 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC70-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
60 В
Маскимальный ток стока:
115 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
200 мВт
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
10 749 шт
Цена от:
от 1,66
2N7002V 2N7002V Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 280 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563F
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
60 В
Маскимальный ток стока:
280 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 30 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-CPH
Тип транзистора:
P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток:
30V
Маскимальный ток стока:
5A
ECH8660-TL-H ECH8660-TL-H Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-ECH
ECH8661-TL-H ECH8661-TL-H Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 7 А,/5.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-ECH
ECH8668-TL-H ECH8668-TL-H Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 7.5 А,/5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-ECH
ECH8693R-TL-W ECH8693R-TL-W Транзисторный массив, N-канальный, 24В 14А 1.4Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SMD8 Gull Wing
FDC3601N FDC3601N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
100 В
Маскимальный ток стока:
1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6301N FDC6301N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.22 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
220 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6302P FDC6302P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 25 В, 0.12 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
FDC6303N FDC6303N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.68 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
680 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6304P FDC6304P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 25 В, 0.46 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
460 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6305N FDC6305N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 2.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
2.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6306P FDC6306P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 1.9 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
1.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6310P FDC6310P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
2.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6312P FDC6312P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.3 А, 0.96Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
2.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6318P FDC6318P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 2.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
12 В
Маскимальный ток стока:
2.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6320C FDC6320C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 25 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
220 мА, 120 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
Акция
FDC6321C FDC6321C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 25 В, 0.68 А, 0.45 Ом, 0.9 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
680 мА, 460 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6327C FDC6327C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
2.7 А, 1.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
На странице: