Сборки MOSFET транзисторов Diodes Incorporated

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Особенности

Automotive (26)
стандартный (47)
Standard (1)
Логическое управление (352)
Logic Level Gate (22)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки MOSFET транзисторов (81)

DMN3024LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6.8 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 6.8 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 Вт

Сообщить о поступлении

DMN3190LDW-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 1 А Максимальная рассеиваемая мощность: 320 мВт

Сообщить о поступлении

DMN4027SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 5.4 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 40 В Маскимальный ток стока: 5.4 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 Вт

Сообщить о поступлении

DMN4031SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 5.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 40 В Маскимальный ток стока: 5.2 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.42 Вт

Сообщить о поступлении

DMN5L06DWK-7 MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT-363 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) Особенности: Logic Level Gate Максимальное напряжение сток-исток: 50V Маскимальный ток стока: 305mA Максимальная рассеиваемая мощность: 250mW

Сообщить о поступлении

DMN5L06VK-7 MOSFET 2N-CH 50V 280MA SOT-563 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) Особенности: Logic Level Gate Максимальное напряжение сток-исток: 50V Маскимальный ток стока: 280mA Максимальная рассеиваемая мощность: 250mW

Сообщить о поступлении

DMN6040SSD-13 MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SO-8 Тип транзистора: N-Channel Особенности: Automotive Максимальное напряжение сток-исток: 60V Маскимальный ток стока: 5A

Сообщить о поступлении

DMN6066SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 3.3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 Вт

Сообщить о поступлении

DMN6070SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 3.3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 Вт

Сообщить о поступлении

DMN61D8LVT-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.63 А Производитель: Diodes Incorporated Тип транзистора: 2xN-channel Максимальное напряжение сток-исток: 60V Маскимальный ток стока: 0.63A

Сообщить о поступлении

DMN61D8LVTQ-7 Производитель: Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN63D8LDW-13 MOSFET 2N-CH 30V 220MA SOT363 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) Особенности: Logic Level Gate Максимальное напряжение сток-исток: 30V Маскимальный ток стока: 220mA Максимальная рассеиваемая мощность: 300mW

Сообщить о поступлении

DMN63D8LDW-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 220 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 220 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

DMN63D8LW-13 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Производитель: Diodes Incorporated Тип транзистора: N-Channel

Сообщить о поступлении

DMN65D8LDW-7 MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) Особенности: Logic Level Gate Максимальное напряжение сток-исток: 60V Маскимальный ток стока: 180mA Максимальная рассеиваемая мощность: 300mW

Сообщить о поступлении

DMN67D8LW-13 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Производитель: Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMP2066LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 5.8 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOP8

Сообщить о поступлении

DMP2160UFDB-7 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.8 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: 6-UDFN2020 (2x2)

Сообщить о поступлении

DMP2240UDM-7 MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT-26 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: P-Channel Особенности: Automotive Максимальное напряжение сток-исток: 20V Маскимальный ток стока: 2A

Сообщить о поступлении

DMP4025LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 40 В, 6.9 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 40 В Маскимальный ток стока: 6.9 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 Вт

Сообщить о поступлении