Сборки MOSFET транзисторов Diodes Incorporated

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки MOSFET транзисторов (81)

DMG1024UV-7 MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) Особенности: Logic Level Gate Максимальное напряжение сток-исток: 20V Маскимальный ток стока: 1.38A Максимальная рассеиваемая мощность: 530mW

Сообщить о поступлении

DMG1029SV-7 MOSFET N/P-CH 60V SOT563 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: N and P-Channel Особенности: Logic Level Gate Максимальное напряжение сток-исток: 60V Маскимальный ток стока: 500mA, 360mA Максимальная рассеиваемая мощность: 450mW

Сообщить о поступлении

DMG4800LSDQ-13 Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive T/R Производитель: Diodes Incorporated Тип транзистора: N-Channel Особенности: Automotive Максимальное напряжение сток-исток: 30В Маскимальный ток стока: 7.5A

Сообщить о поступлении

DMG5802LFX-7 MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN Производитель: Diodes Incorporated Корпус: 6-DFN5020 (5x2) Тип транзистора: N-Channel Особенности: Automotive Максимальное напряжение сток-исток: 24V Маскимальный ток стока: 6.5A

Сообщить о поступлении

DMG6301UDW-13 MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2xN-channel Максимальное напряжение сток-исток: 25V Маскимальный ток стока: 0.24A

Сообщить о поступлении

DMG6601LVT-7 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 0.85Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 3.8 А, 2.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 850 мВт

Сообщить о поступлении

DMG6602SVT-7 Полевой транзистор, N/P-канальный, 30 В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TSOT-23-6 Тип транзистора: N+P-channel Особенности: Automotive Максимальное напряжение сток-исток: 30V Маскимальный ток стока: 3.4A/2.8A

Сообщить о поступлении

DMG6898LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 9.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 9.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.28 Вт

Сообщить о поступлении

DMG9926UDM-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 4.2 А Максимальная рассеиваемая мощность: 980 мВт

Сообщить о поступлении

DMHC3025LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N/2P-канальный, 30 В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2N/2P-Channel Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 6 А, 4.2 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 Вт

Сообщить о поступлении

DMN2004DMK-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 540 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 540 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 225 мВт

Сообщить о поступлении

DMN2004VK-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 540 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 540 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт

Сообщить о поступлении

DMN2005DLP4K-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 300 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: 6-DFN1310H4 (1.0x1.3) Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: стандартный Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 300 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 400 мВт

Сообщить о поступлении

DMN2016UTS-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 8.58 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TSSOP8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 8.58 А Максимальная рассеиваемая мощность: 880 мВт

Сообщить о поступлении

DMN2040LTS-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.7 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TSSOP8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 6.7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 890 мВт

Сообщить о поступлении

DMN2041LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 7.63 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 7.63 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.16 Вт

Сообщить о поступлении

DMN2300UFB-7B MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Тип транзистора: N-Channel Особенности: Automotive Максимальное напряжение сток-исток: 20V Маскимальный ток стока: 1.78A

Сообщить о поступлении

DMN2300UFL4-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 2.11 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN1310-6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 2.11 А Максимальная рассеиваемая мощность: 530 мВт

Сообщить о поступлении

DMN2400UV-7 MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: N-Channel Особенности: Automotive Максимальное напряжение сток-исток: 20V Маскимальный ток стока: 1.33A

Сообщить о поступлении

DMN2990UDJ-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 450 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-963 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 450 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 350 мВт

Сообщить о поступлении