Сборки MOSFET транзисторов

204
Тип транзистора: 2N-канальный
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Максимальное напряжение сток-исток
Маскимальный ток стока
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (204)
DMN2041LSD-13 DMN2041LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 7.63 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
7.63 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.16 Вт
DMN2300UFL4-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 2.11 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
X2-DFN1310-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
2.11 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
530 мВт
DMN2990UDJ-7 DMN2990UDJ-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 450 мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-963
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
450 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
350 мВт
DMN3024LSD-13 DMN3024LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6.8 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
6.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.8 Вт
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
320 мВт
DMN4027SSD-13 DMN4027SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 5.4 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
40 В
Маскимальный ток стока:
5.4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.8 Вт
DMN4031SSD-13 DMN4031SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 5.2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
40 В
Маскимальный ток стока:
5.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.42 Вт
DMN6066SSD-13 DMN6066SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.3 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
60 В
Маскимальный ток стока:
3.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.8 Вт
DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.3 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
60 В
Маскимальный ток стока:
3.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.2 Вт
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 220 мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
220 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDC3601N FDC3601N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
100 В
Маскимальный ток стока:
1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6301N FDC6301N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.22 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
220 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6303N FDC6303N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.68 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
680 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6305N FDC6305N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 2.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
2.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6401N FDC6401N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6561AN FDC6561AN Сборка из полевых транзисторов, Dual N-канальный, 2.5 А, 30 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SuperSOT-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
2.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC8602 FDC8602 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 1.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Максимальное напряжение сток-исток:
100 В
Маскимальный ток стока:
1.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
690 мВт
FDG1024NZ FDG1024NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 1.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
1.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6301N FDG6301N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.22 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
220 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6301N_F085 FDG6301N_F085 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 220 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
220 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
На странице:

Сборки MOSFET – объединения в одном корпусе МОП-транзисторов. Как правило, они сочетают в себе как N-канальные, так и P-канальные транзисторы, но некоторые конфигурации предусматривают, например, 4 N-канальных или 2 P-канальных транзистора, а также N- и P-канальные полевые транзисторы с общим истоком. Сборки транзисторов могут облегчить проектирование печатной платы, сэкономить её полезную площадь, а также за счёт выполнения в рамках одного технологического процесса обладать очень близкими характеристиками.

Каталог интернет-магазина «Промэлектроника» содержит широкий ассортимент сборок MOSFET: 2N-канальные, 2N+2P-канальные, N- и P-канальные с одинаковым истоком и т.д. Они представлены моделями лучших компаний-производителей электроники: Infineon, ROHM и др.

Купить сборки MOSFET-транзисторов возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Сборки MOSFET транзисторов

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Сборки MOSFET транзисторов в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Сборки MOSFET транзисторов - от 1.68 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Сборки MOSFET транзисторов в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Сборки MOSFET транзисторов в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"