Сборки MOSFET транзисторов

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Максимальное напряжение сток-исток
Маскимальный ток стока
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (94)
FDC6306P FDC6306P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 1.9 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
1.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6310P FDC6310P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
2.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6312P FDC6312P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.3 А, 0.96Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
2.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDC6318P FDC6318P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 2.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
12 В
Маскимальный ток стока:
2.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDG6304P FDG6304P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 25 В, 0.41 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
25 В
Маскимальный ток стока:
410 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6306P FDG6306P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
600 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6308P FDG6308P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
600 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6316P FDG6316P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 0.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
12 В
Маскимальный ток стока:
700 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG6318PZ FDG6318PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
500 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDMA1023PZ FDMA1023PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDMA1025P FDMA1025P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDMA1029PZ FDMA1029PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDMA3023PZ FDMA3023PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.9 А, 1.4 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
2.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDMA3027PZ FDMA3027PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 3.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET 2x2
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
3.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDMA6023PZT FDMA6023PZT Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
3.6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
FDME1023PZT FDME1023PZT Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6(1.6x1.6)
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
2.6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
600 мВт
FDS4935A FDS4935A Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 7 А, 2 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
FDS4935BZ FDS4935BZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 6.9 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
6.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
FDS4953 FDS4953 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, -30 В, -5 А, 2 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
FDS6875 FDS6875 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
На странице:

Сборки MOSFET – объединения в одном корпусе МОП-транзисторов. Как правило, они сочетают в себе как N-канальные, так и P-канальные транзисторы, но некоторые конфигурации предусматривают, например, 4 N-канальных или 2 P-канальных транзистора, а также N- и P-канальные полевые транзисторы с общим истоком. Сборки транзисторов могут облегчить проектирование печатной платы, сэкономить её полезную площадь, а также за счёт выполнения в рамках одного технологического процесса обладать очень близкими характеристиками.

Каталог интернет-магазина «Промэлектроника» содержит широкий ассортимент сборок MOSFET: 2N-канальные, 2N+2P-канальные, N- и P-канальные с одинаковым истоком и т.д. Они представлены моделями лучших компаний-производителей электроники: Infineon, ROHM и др.

Купить сборки MOSFET-транзисторов возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Сборки MOSFET транзисторов

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Сборки MOSFET транзисторов в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Сборки MOSFET транзисторов - от 1.74 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Сборки MOSFET транзисторов в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Сборки MOSFET транзисторов в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"