Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (878)

IRFD120PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3А 1.3Вт, 0.25 Ом Производитель: Vishay Корпус: HVMDIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD123PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD210PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 600мА, 1.0Вт Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD220PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: HVMDIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 800мА Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD224PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 630мА Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD320PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 0.6А 1.3Вт, 1.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 490мА Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 410пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD420PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 370мА, 1Вт Производитель: Vishay Корпус: HVM DIP Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 370мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9010PBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 1.1 А Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 240пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9014PBF Транзистор полевой P-канальный 60В 1.1А 1.3Вт Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9020PBF Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 1.6 А Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.3Вт, 0.28 Ом Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 400мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.9нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9220PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.56А 1.3Вт, 1.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 560мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFDC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 320мА Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI510GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 4.5 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI520GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.2 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI530GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.7A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI540GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A Производитель: Vishay Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении