- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
IRF9Z34STRRPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18A 3,7Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 18А
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IRFB11N50APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А 170Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 520 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 52нКл
Входная емкость: 1423пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRFB13N50APBF
Транзистор полевой N-канальный 500В 14А 250Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 450 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 81нКл
Входная емкость: 1910пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB17N50LPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16А, 220Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 320 мОм
Мощность макс.: 220Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 2760пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB18N50KPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 17А 220Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 17A
Мощность макс.: 220Вт
Тип транзистора: N-канал
IRFB20N50KPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 250 мОм
Мощность макс.: 280Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 2870пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRFB9N60APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 49нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB9N65APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 8.5A
Сопротивление открытого канала: 930 мОм
Мощность макс.: 167Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 1417пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRFBC20PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.2A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.2A
Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFBC20SPBF
Транзистор полевой N-канальный 600В 2.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.2A
Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC20STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 600В 2.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.2A
Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
IRFBC30APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFBC30ASPBF
Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC30ASTRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC30PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6А 74Вт, 2.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 660пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFBC30SPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC30STRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6.2A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1036пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRFBC40ASPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6.2A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1036пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40ASTRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6.2A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1036пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара