Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (877)
IRF9Z34STRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18A 3,7Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18А Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IRFB11N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А 170Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 520 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1423пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFB13N50APBF Транзистор полевой N-канальный 500В 14А 250Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 81нКл Входная емкость: 1910пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB17N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16А, 220Вт Производитель: Vishay Корпус: TO220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 320 мОм Мощность макс.: 220Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2760пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB18N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 17А 220Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 17A Мощность макс.: 220Вт Тип транзистора: N-канал
IRFB20N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2870пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFB9N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB9N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 930 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1417пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBC20SPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC20STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFBC30APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBC30ASPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC30ASTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6А 74Вт, 2.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBC30SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.6 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC30STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.6 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFBC40ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40ASTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: