Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (880)
IRF9610SPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9620PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5А 40Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF9620STRLPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.5 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9630PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF9630SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9630STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9640PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF9640SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9Z14PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF9Z14SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9Z14STRLPBF Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 6.7 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9Z20PBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 9.7 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
9.7A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF9Z24PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11А 60Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF9Z24SPBF Транзистор полевой P-канальный 60В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9Z24STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9Z30PBF Транзистор полевой P-канальный 50В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF9Z34PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18А 88Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF9Z34SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18A 3,7Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице: