Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
Акция IRF840STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 125Вт, 0.85 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF840STRRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8 А, 3.1 Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263)
IRF9510PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4А 20Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9510SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9510STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9510STRRPBF Полевой транзистор P-канальный 100В 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
IRF9520PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A. 40Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9520SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9520STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9520STRRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 6.8 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
Акция IRF9530PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12А 88Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 88Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF9530SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12А 88Вт, 0.3 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9530STRLPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 12A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9530STRRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
IRF9540 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19А Тип транзистора: P-канальный
IRF9540PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19А 150Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9540SPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 19A 150Вт Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF9540STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9540STRRPBF Полевой транзистор P-канальный 100В 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
IRF9610PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 60Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице: