Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
SUD45P03-09-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 45 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA
SUD50N03-06AP-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 90A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция SUD50N04-8M8P-4GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 48.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50N06-09L-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм Мощность макс.: 136Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2650пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P04-08-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 8.1 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 159нКл Входная емкость: 5380пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P04-09L-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4800пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P06-15-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 4950пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P06-15L-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 4950пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P06-15L-GE3 Полевой транзистор P-канальный 60В 15мОм DPak (TO-252) Производитель: Vishay
SUD50P08-25L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 25.2 мОм Мощность макс.: 136Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P10-43L-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 37.1 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 37.1A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 136Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P04-05-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 110 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 280нКл Входная емкость: 11300пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P06-07L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 110A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 6.9 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 345нКл Входная емкость: 11400пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P06-08L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 110A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P08-11L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 110A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 11.2 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 10850пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM45N25-58-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 45 А, 375 Вт Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 45A Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал
SUM55P06-19L-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 55A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 115нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM60N10-17-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM65N20-30-E3 Транзистор полевой N-канальный 200В 65А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5100пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM80090E-GE3 Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 128А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
На странице: