- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
SQ2361ES-T1_GE3
Полевой транзистор P-канальный 60В 2.8A автомобильного применения 3-Pin TO-236 лента на катушке
Производитель: Vishay
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.8A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
SQ2364EES-T1_GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В SOT-23
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
SQ2389ES-T1_GE3
Полевой транзистор P-канальный 40В 4.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Vishay
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 4.1A
Сопротивление открытого канала: 94 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 420пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SQ3418AEEV-T1_GE3
Полевой транзистор N-канальный 40В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель: Vishay
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7.8A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 4Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 370пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SQ3469EV-T1_GE3
Полевой транзистор P-канальный 20В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель: Vishay
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 36 мОм
Мощность макс.: 5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 1020пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SQD50N05-11L-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 50 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 11 мОм
Мощность макс.: 75Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 52нКл
Входная емкость: 2106пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SQD50P08-25L_GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 80 В, 50 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 50А
Мощность макс.: 136Вт
Тип транзистора: P-канальный
SQJ457EP-T1_GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 36A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO лента на катушке
Производитель: Vishay
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 36А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
SQJ963EP-T1_GE3
Полевой транзистор P-канальный 60В 8A автомобильного применения 8-Pin PowerPAK SO лента на катушке
Производитель: Vishay
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
SQS401EN-T1_GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 16A автомобильного применения 8-Pin PowerPAK 1212 лента на катушке
Производитель: Vishay
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 16А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
SUD08P06-155L-GE3
Транзистор полевой P-канальный 60В 8.4A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8.4A
Сопротивление открытого канала: 155 мОм
Мощность макс.: 1.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 450пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
SUD09P10-195-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 8.8A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 8.8A
Сопротивление открытого канала: 195 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 34.8нКл
Входная емкость: 1055пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD15N15-95-E3
Транзистор полевой N-канальный 150В 15A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 95 мОм
Мощность макс.: 2.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD19N20-90-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 19 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 19A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 51нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD19P06-60-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 18.3A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 1710пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD19P06-60-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 18.3A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 1710пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD23N06-31-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 21.4 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 21.4A
Сопротивление открытого канала: 31 мОм
Мощность макс.: 31.25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 670пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD25N15-52-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 25A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 25A
Сопротивление открытого канала: 52 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 1725пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD35N10-26P-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 35 А
Производитель: Vishay
Корпус: D-Pak (TO-252AA)
SUD40N08-16-E3
Транзистор полевой N-канальный 80В 40A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 16 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1960пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара