Калининград
Ваш город Калининград?
Да Нет, выбрать другой
Корзина

Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Сортировка
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
SIRA10DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 2425пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIRA14DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 58 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 58A Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм Мощность макс.: 31.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1450пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIS402DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIS410DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIS412DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12А 15.6Вт Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 15.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIS434DN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 35A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 7.6 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1530пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIS438DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 27.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIS443DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 11.7 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 4370пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIS468DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 780пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIS476DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 77нКл Входная емкость: 3595пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIS862DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.6В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1320пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIS890DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 23.5 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 802пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIS892ADN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 19.5нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SISA04DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 2.15 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 77нКл Входная емкость: 3595пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
Акция SISA12ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 28Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2070пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
Акция SIZ980DT-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A/60А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Dual Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20А Тип транзистора: N-канальный
Сообщить о поступлении
SQ1922EEH-T1_GE3 Trans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive 6-Pin SC-70 T/R Производитель: Vishay Корпус: SC-70
Сообщить о поступлении
SQ2308CES-T1_GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3A Aвтомобильного применения Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 5.3нКл Входная емкость: 205пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
Акция SQ2310ES-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: TO-236 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SQ2351ES-T1_GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
На странице:
Сообщите мне о поступлении товара

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Напишите нам

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Выбор города
  • Абакан
  • Анадырь
  • Архангельск
  • Астрахань
  • Барнаул
  • Белгород
  • Биробиджан
  • Благовещенск
  • Брянск
  • Великий Новгород
  • Владивосток
  • Владикавказ
  • Владимир
  • Волгоград
  • Вологда
  • Воронеж
  • Горно-Алтайск
  • Грозный
  • Екатеринбург
  • Иваново
  • Ижевск
  • Иркутск
  • Йошкар-Ола
  • Казань
  • Калининград
  • Калуга
  • Кемерово
  • Киров
  • Кострома
  • Краснодар
  • Красноярск
  • Курган
  • Курск
  • Кызыл
  • Липецк
  • Магадан
  • Магас
  • Майкоп
  • Махачкала
  • Москва
  • Мурманск
  • Нальчик
  • Нарьян-Мар
  • Нижний Новгород
  • Новосибирск
  • Омск
  • Орёл
  • Оренбург
  • Пенза
  • Пермь
  • Петрозаводск
  • Петропавловск-Камчатский
  • Псков
  • Ростов-на-Дону
  • Рязань
  • Салехард
  • Самара
  • Санкт-Петербург
  • Саранск
  • Саратов
  • Смоленск
  • Ставрополь
  • Сыктывкар
  • Тамбов
  • Тверь
  • Томск
  • Тула
  • Тюмень
  • Улан-Удэ
  • Ульяновск
  • Уфа
  • Хабаровск
  • Ханты-Мансийск
  • Чебоксары
  • Челябинск
  • Черкесск
  • Чита
  • Элиста
  • Южно-Сахалинск
  • Якутск
  • Ярославль