Калининград
Ваш город Калининград?
Да Нет, выбрать другой
Корзина

Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Сортировка
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
SIR440DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.55 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR460DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2071пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR462DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 30A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм Мощность макс.: 41.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1155пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR466DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR470DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 155нКл Входная емкость: 5660пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR640ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 4240пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR698DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.5 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 195 мОм Мощность макс.: 23Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR804DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR836DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 21 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 15.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR846ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR866DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 4730пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR870ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2866пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR872ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 53.7 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 53.7A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 1286пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR872DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 53.7 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 53.7A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2130пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR876ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 10.8 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR880ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2289пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR882ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1975пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIRA00DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 1 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 11700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIRA04DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 2.15 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 77нКл Входная емкость: 3595пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIRA06DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 77нКл Входная емкость: 3595пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
На странице:
Сообщите мне о поступлении товара

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Напишите нам

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Выбор города
  • Абакан
  • Анадырь
  • Архангельск
  • Астрахань
  • Барнаул
  • Белгород
  • Биробиджан
  • Благовещенск
  • Брянск
  • Великий Новгород
  • Владивосток
  • Владикавказ
  • Владимир
  • Волгоград
  • Вологда
  • Воронеж
  • Горно-Алтайск
  • Грозный
  • Екатеринбург
  • Иваново
  • Ижевск
  • Иркутск
  • Йошкар-Ола
  • Казань
  • Калининград
  • Калуга
  • Кемерово
  • Киров
  • Кострома
  • Краснодар
  • Красноярск
  • Курган
  • Курск
  • Кызыл
  • Липецк
  • Магадан
  • Магас
  • Майкоп
  • Махачкала
  • Москва
  • Мурманск
  • Нальчик
  • Нарьян-Мар
  • Нижний Новгород
  • Новосибирск
  • Омск
  • Орёл
  • Оренбург
  • Пенза
  • Пермь
  • Петрозаводск
  • Петропавловск-Камчатский
  • Псков
  • Ростов-на-Дону
  • Рязань
  • Салехард
  • Самара
  • Санкт-Петербург
  • Саранск
  • Саратов
  • Смоленск
  • Ставрополь
  • Сыктывкар
  • Тамбов
  • Тверь
  • Томск
  • Тула
  • Тюмень
  • Улан-Удэ
  • Ульяновск
  • Уфа
  • Хабаровск
  • Ханты-Мансийск
  • Чебоксары
  • Челябинск
  • Черкесск
  • Чита
  • Элиста
  • Южно-Сахалинск
  • Якутск
  • Ярославль