- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
Акция
IRF820PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.5А 50Вт, 3 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF820SPBF
Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF820STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF820STRRPBF
Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
IRF830APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 74Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 620пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRF830APBF-BE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 3-Pin TO-220AB - рейка/туба
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IRF830ASPBF
Транзистор полевой N-канальный 500В 5A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 620пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
IRF830ASTRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 620пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF830PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5А 74Вт, 1.5 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 610пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF830SPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 4.5 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 610пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF830STRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 4.5 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 610пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF840ALPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель: Vishay
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1018пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF840APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 125Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1018пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF840ASPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1018пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
IRF840ASTRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1018пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF840ASTRRPBF
Транзистор полевой N-канальный 500В 8A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1018пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF840LCLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8 А
Производитель: Vishay
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 39нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRF840LCPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 39нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF840PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 125Вт, 0.85 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF840SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 3.1Вт, 0.85 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара