Калининград
Ваш город Калининград?
Да Нет, выбрать другой
Корзина

Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Сортировка
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
SIHP24N65E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 145 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 122нКл Входная емкость: 2740пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
SIHP25N40D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 25 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB
Сообщить о поступлении
SIHP30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
SIHP5N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
SIHP7N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
SIHS36N50D-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 36 А Производитель: Vishay Корпус: Super-247 (TO-274AA) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 446Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 3233пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
SIHU3N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.2 Ом Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
SIJ482DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 69.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 2425пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR158DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 4980пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR172ADP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 24A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 29.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1515пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR402DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR404DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 97нКл Входная емкость: 8130пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR410DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR414DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 117нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR416DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 3350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR418DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR422DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 34.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1785пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR424DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 30A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 41.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
Акция SIR426DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 41.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIR438DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
На странице:
Сообщите мне о поступлении товара

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Напишите нам

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Выбор города
  • Абакан
  • Анадырь
  • Архангельск
  • Астрахань
  • Барнаул
  • Белгород
  • Биробиджан
  • Благовещенск
  • Брянск
  • Великий Новгород
  • Владивосток
  • Владикавказ
  • Владимир
  • Волгоград
  • Вологда
  • Воронеж
  • Горно-Алтайск
  • Грозный
  • Екатеринбург
  • Иваново
  • Ижевск
  • Иркутск
  • Йошкар-Ола
  • Казань
  • Калининград
  • Калуга
  • Кемерово
  • Киров
  • Кострома
  • Краснодар
  • Красноярск
  • Курган
  • Курск
  • Кызыл
  • Липецк
  • Магадан
  • Магас
  • Майкоп
  • Махачкала
  • Москва
  • Мурманск
  • Нальчик
  • Нарьян-Мар
  • Нижний Новгород
  • Новосибирск
  • Омск
  • Орёл
  • Оренбург
  • Пенза
  • Пермь
  • Петрозаводск
  • Петропавловск-Камчатский
  • Псков
  • Ростов-на-Дону
  • Рязань
  • Салехард
  • Самара
  • Санкт-Петербург
  • Саранск
  • Саратов
  • Смоленск
  • Ставрополь
  • Сыктывкар
  • Тамбов
  • Тверь
  • Томск
  • Тула
  • Тюмень
  • Улан-Удэ
  • Ульяновск
  • Уфа
  • Хабаровск
  • Ханты-Мансийск
  • Чебоксары
  • Челябинск
  • Черкесск
  • Чита
  • Элиста
  • Южно-Сахалинск
  • Якутск
  • Ярославль