Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
SIHG14N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 1144пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG16N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG20N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2942пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG22N50D-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 22 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 1938пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG22N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 1920пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG24N65E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 145 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 122нКл Входная емкость: 2740пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG25N40D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 25 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 278Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 1707пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG32N50D-E3 Транзистор полевой N-канальный 500В 30A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 390Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 96нКл Входная емкость: 2550пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG32N50D-GE3 Транзистор полевой N-канальный 500В 30A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 390Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 96нКл Входная емкость: 2550пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG35N60EF-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 32 А, 250 Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 32А Сопротивление открытого канала: 0.084Ом Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
SIHG47N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 64 мОм Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 9620пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG64N65E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 650В 64A Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 64A Тип транзистора: N-канал
SIHG73N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 73 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 73A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 520Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 362нКл Входная емкость: 7700пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP12N60E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 12A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 937пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP14N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 1144пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP15N60E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 15A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP17N60D-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 17 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB
SIHP18N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 223Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2942пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP22N60E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 21A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 1920пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице: