Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (878)

SIHB22N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 1920пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB22N65E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 22 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2415пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB24N65E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 145 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 122нКл Входная емкость: 2740пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

SIHB25N50E-GE3 Power MOSFET N-CH 500V 26A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK-3

Сообщить о поступлении

SIHB30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB33N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 33 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 99 мОм Мощность макс.: 278Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 3508пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHD3N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.2 Ом Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHD5N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHD6N65E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 7 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 820пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHF12N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 937пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHF12N65E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 650В 12A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1224пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHF15N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 15 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 34Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHF22N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 1920пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHF30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHF5N50D-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

SIHF6N40D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 6A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Full Pack Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 311пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHF8N50D-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 527пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

SIHFB20N50K-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А TO220AB Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHFR9220TR-GE3 Полевой транзистор P-канальный 200В 3.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.6A Тип транзистора: P-канал Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHFRC20TR-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении