Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (878)

SI8416DB-T2-E1 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1470пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8424CDB-T1-E1 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 8В Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 2340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8483DB-T2-E1 Транзистор полевой P-канальный 12В 16A Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8489EDB-T2-E1 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: P-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 765пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8499DB-T2-E1 Транзистор полевой P-канальный 20В 16A Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8802DB-T2-E1 Транзистор полевой N-канальный 8В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 8В Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6.5нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8812DB-T2-E1 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 59 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 17нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8817DB-T2-E1 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 76 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 615пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9407BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9407BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9433BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 4.5A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 14нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9435BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9435BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA413DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA416DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 11.3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11.3A Сопротивление открытого канала: 83 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA421DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA427ADJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 8 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA429DJT-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 20.5 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA433EDJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 75нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA436DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 25.2нКл Входная емкость: 1508пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении