Калининград
Ваш город Калининград?
Да Нет, выбрать другой
Корзина

Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Сортировка
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
SI7615ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 35A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 183нКл Входная емкость: 5590пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7617DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 35A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 12.3 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7625DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 126нКл Входная емкость: 4427пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7635DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 143нКл Входная емкость: 4595пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7655DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7658ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4590пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7716ADN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 16A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 27.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 846пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7738DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7812DN-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7818DN-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 150В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 135 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7820DN-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7820DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7850DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7850DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7852ADP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1825пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7852DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 80В 7.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 41нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7898DP-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 150В 3A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7898DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 150В 3A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7958DP-T1-GE3 Сдвоенный полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 7.2 А Производитель: Vishay Корпус: PPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7.2А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI8406DB-T2-E1 Транзистор полевой N-канальный 20В 16A Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
На странице:
Сообщите мне о поступлении товара

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Напишите нам

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Выбор города
  • Абакан
  • Анадырь
  • Архангельск
  • Астрахань
  • Барнаул
  • Белгород
  • Биробиджан
  • Благовещенск
  • Брянск
  • Великий Новгород
  • Владивосток
  • Владикавказ
  • Владимир
  • Волгоград
  • Вологда
  • Воронеж
  • Горно-Алтайск
  • Грозный
  • Екатеринбург
  • Иваново
  • Ижевск
  • Иркутск
  • Йошкар-Ола
  • Казань
  • Калининград
  • Калуга
  • Кемерово
  • Киров
  • Кострома
  • Краснодар
  • Красноярск
  • Курган
  • Курск
  • Кызыл
  • Липецк
  • Магадан
  • Магас
  • Майкоп
  • Махачкала
  • Москва
  • Мурманск
  • Нальчик
  • Нарьян-Мар
  • Нижний Новгород
  • Новосибирск
  • Омск
  • Орёл
  • Оренбург
  • Пенза
  • Пермь
  • Петрозаводск
  • Петропавловск-Камчатский
  • Псков
  • Ростов-на-Дону
  • Рязань
  • Салехард
  • Самара
  • Санкт-Петербург
  • Саранск
  • Саратов
  • Смоленск
  • Ставрополь
  • Сыктывкар
  • Тамбов
  • Тверь
  • Томск
  • Тула
  • Тюмень
  • Улан-Удэ
  • Ульяновск
  • Уфа
  • Хабаровск
  • Ханты-Мансийск
  • Чебоксары
  • Челябинск
  • Черкесск
  • Чита
  • Элиста
  • Южно-Сахалинск
  • Якутск
  • Ярославль