Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (876)

SI7439DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 135нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7450DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.2 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 42нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7454DDP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 21A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 29.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 19.5нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7456DDP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 27.8 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 27.8A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 35.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 29.5нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7460DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 11 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 9.6 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 100нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7461DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.6A Сопротивление открытого канала: 14.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 190нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7461DP-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 8.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.6A Сопротивление открытого канала: 14.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 190нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7463ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 46 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 144нКл Входная емкость: 4150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7464DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.8 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7465DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 3.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 64 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7465DP-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 3.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 64 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7469DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7469DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7478DP-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 15A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7478DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 15A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7489DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAK® SO-8 Single Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7489DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7611DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 18 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1980пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7613DN-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 35A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 52.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 2620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7615ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 35A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 183нКл Входная емкость: 5590пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении