- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
SI7141DP-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 400нКл
Входная емкость: 14300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7145DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 413нКл
Входная емкость: 15660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7149ADP-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 50 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 135нКл
Входная емкость: 5125пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7157DP-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В
Заряд затвора: 625нКл
Входная емкость: 22000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7164DP-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 60В 60A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 6.25 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 75нКл
Входная емкость: 2830пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7174DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 7 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 2770пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7190DP-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 250В 18.4A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 18.4A
Сопротивление открытого канала: 118 мОм
Мощность макс.: 96Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 2214пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7308DN-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 58 мОм
Мощность макс.: 19.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 665пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7308DN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 58 мОм
Мощность макс.: 19.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 665пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7309DN-T1-E3
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 8 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 115 мОм
Мощность макс.: 19.8Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7315DN-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 8.9 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 8.9A
Сопротивление открытого канала: 315 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 880пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7322ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
SI7414DN-T1-E3
Транзистор полевой N-канальный 60В 5.6A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 25нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7414DN-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 60В 5.6A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 25нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7415DN-T1-E3
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 3.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 65 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 25нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7430DP-T1-E3
Транзистор полевой N-канальный 150В 26A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 26A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 64Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 1735пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7430DP-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 150В 26A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 26A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 64Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 1735пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7431DP-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 200В 2.2A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 2.2A
Сопротивление открытого канала: 174 мОм
Мощность макс.: 1.9Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 135нКл
Тип монтажа: Surface Mount
Новинка
Si7434ADP-T1-RE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250 В 12.3A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
SI7434DP-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.3 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 2.3A
Сопротивление открытого канала: 155 мОм
Мощность макс.: 1.9Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 50нКл
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара