Калининград
Ваш город Калининград?
Да Нет, выбрать другой
Корзина

Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Сортировка
Одиночные MOSFET транзисторы (876)
SI7141DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 400нКл Входная емкость: 14300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7145DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 413нКл Входная емкость: 15660пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7149ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 5125пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7157DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 625нКл Входная емкость: 22000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7164DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 60A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.25 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2830пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7174DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2770пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7190DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 250В 18.4A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 18.4A Сопротивление открытого канала: 118 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2214пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7308DN-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 19.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 665пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7308DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 19.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 665пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7309DN-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 19.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7315DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 8.9 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 315 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7322ADN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8 Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Сообщить о поступлении
SI7414DN-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7414DN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7415DN-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 3.6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7430DP-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 150В 26A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 64Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1735пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7430DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 150В 26A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 64Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1735пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7431DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 200В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 174 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 135нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7434DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SI7439DP-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 135нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
На странице:
Сообщите мне о поступлении товара

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Напишите нам

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Выбор города
  • Абакан
  • Анадырь
  • Архангельск
  • Астрахань
  • Барнаул
  • Белгород
  • Биробиджан
  • Благовещенск
  • Брянск
  • Великий Новгород
  • Владивосток
  • Владикавказ
  • Владимир
  • Волгоград
  • Вологда
  • Воронеж
  • Горно-Алтайск
  • Грозный
  • Екатеринбург
  • Иваново
  • Ижевск
  • Иркутск
  • Йошкар-Ола
  • Казань
  • Калининград
  • Калуга
  • Кемерово
  • Киров
  • Кострома
  • Краснодар
  • Красноярск
  • Курган
  • Курск
  • Кызыл
  • Липецк
  • Магадан
  • Магас
  • Майкоп
  • Махачкала
  • Москва
  • Мурманск
  • Нальчик
  • Нарьян-Мар
  • Нижний Новгород
  • Новосибирск
  • Омск
  • Орёл
  • Оренбург
  • Пенза
  • Пермь
  • Петрозаводск
  • Петропавловск-Камчатский
  • Псков
  • Ростов-на-Дону
  • Рязань
  • Салехард
  • Самара
  • Санкт-Петербург
  • Саранск
  • Саратов
  • Смоленск
  • Ставрополь
  • Сыктывкар
  • Тамбов
  • Тверь
  • Томск
  • Тула
  • Тюмень
  • Улан-Удэ
  • Ульяновск
  • Уфа
  • Хабаровск
  • Ханты-Мансийск
  • Чебоксары
  • Челябинск
  • Черкесск
  • Чита
  • Элиста
  • Южно-Сахалинск
  • Якутск
  • Ярославль