Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)
Through Hole(1888)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (876)

SI5403DC-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 6A Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 6.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5429DU-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Dual Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2320пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5457DC-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5459DU-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 10.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 665пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5468DC-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5476DU-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Single Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI6423DQ-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8.2A Производитель: Vishay Корпус: TSSOP8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.05Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 110нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI6423DQ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8.2A Производитель: Vishay Корпус: TSSOP8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.05Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 110нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7106DN-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 20В 12.5A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12.5A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7113DN-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 100В 13.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13.2A Сопротивление открытого канала: 134 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7113DN-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 100В 13.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13.2A Сопротивление открытого канала: 134 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7114ADN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7115DN-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 150В 8.9A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 295 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7115DN-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 150В 8.9A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 295 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7119DN-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 200В 3.8A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 666пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7120ADN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 45нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7129DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 11.4 мОм Мощность макс.: 52.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 3345пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7135DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 8650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7137DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 585нКл Входная емкость: 20000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7139DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 146нКл Входная емкость: 4230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении