- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
SI5403DC-T1-GE3
Транзистор полевой P-канальный 30В 6A
Производитель: Vishay
Корпус: ChipFET8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 6.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI5429DU-T1-GE3
Транзистор полевой P-канальный 30В 12A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Dual
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 15 мОм
Мощность макс.: 31Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 2320пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI5457DC-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А
Производитель: Vishay
Корпус: ChipFET8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 36 мОм
Мощность макс.: 5.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI5459DU-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 8 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Single
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 52 мОм
Мощность макс.: 10.9Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 665пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI5468DC-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А
Производитель: Vishay
Корпус: ChipFET8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 5.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 435пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI5476DU-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 60В 12A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Single
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 34 мОм
Мощность макс.: 31Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI6423DQ-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 12В 8.2A
Производитель: Vishay
Корпус: TSSOP8
Напряжение исток-сток макс.: 12В
Ток стока макс.: 8.2A
Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм
Мощность макс.: 1.05Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ
Заряд затвора: 110нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI6423DQ-T1-GE3
Транзистор полевой P-канальный 12В 8.2A
Производитель: Vishay
Корпус: TSSOP8
Напряжение исток-сток макс.: 12В
Ток стока макс.: 8.2A
Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм
Мощность макс.: 1.05Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ
Заряд затвора: 110нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7106DN-T1-E3
Транзистор полевой N-канальный 20В 12.5A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 12.5A
Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 27нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7113DN-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 100В 13.2A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 13.2A
Сопротивление открытого канала: 134 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 55нКл
Входная емкость: 1480пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7113DN-T1-GE3
Транзистор полевой P-канальный 100В 13.2A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 13.2A
Сопротивление открытого канала: 134 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 55нКл
Входная емкость: 1480пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7114ADN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм
Мощность макс.: 39Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 1230пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7115DN-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 150В 8.9A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 8.9A
Сопротивление открытого канала: 295 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1190пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7115DN-T1-GE3
Транзистор полевой P-канальный 150В 8.9A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 8.9A
Сопротивление открытого канала: 295 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1190пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7119DN-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 200В 3.8A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.8A
Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 666пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7120ADN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 21 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 45нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7129DN-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 35 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 11.4 мОм
Мощность макс.: 52.1Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Заряд затвора: 71нКл
Входная емкость: 3345пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7135DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 250нКл
Входная емкость: 8650пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 464 шт
Цена от:
от 8,11₽
SI7137DP-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В
Заряд затвора: 585нКл
Входная емкость: 20000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7139DP-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 40 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 146нКл
Входная емкость: 4230пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара