Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount(4)
Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (876)

SI4488DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3.5A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 36нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4490DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.85 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.85A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 42нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4490DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.85 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.85A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 42нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4686DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18.2 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18.2A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 5.2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4800BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 6.5A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 18.5 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 13нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4800BDY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 6.5A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 18.5 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 13нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4825DDY-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 14.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.9A Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 2550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4835DDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 13A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 5.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4835DDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 13A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 5.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4838BDY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 12 В, 34 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 5760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4840BDY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 19 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4840BDY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 19 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4842BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 28A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 6.25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 3650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4848DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 21нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4848DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 21нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4850EY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 6A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4850EY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 6A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4874BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 3230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4894BDY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1580пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4896DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 6.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 41нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении