Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (878)

SI4421DY-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 8.75 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 125нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4425BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 100нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4425BDY-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 8.8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8

Сообщить о поступлении

Акция

SI4425DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 19.7А 5.7Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19.7A Сопротивление открытого канала: 9.8 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4431BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 5.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4431CDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 9A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1006пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4434DY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 250В 2.1A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4434DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 2.1A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4435DDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11.4A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI4435DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11.4А 5Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4436DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4442DY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 40В 7.2A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4447ADY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 7.2A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4459ADY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 29A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4463BDY-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 9.8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 9.8A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 56нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4463CDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 13.6A 8-Pin SOIC N лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.6A Тип транзистора: P-канал Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4464DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4464DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4477DY-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 26.6 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 26.6A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 6.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4485DY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении