Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)
Through Hole(1888)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (876)

SI4124DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 20.5 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 20.5A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 77нКл Входная емкость: 3540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4126DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 39 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 39A Сопротивление открытого канала: 2.75 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 4405пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4128DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 10.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.9A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4134DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 14A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 846пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4136DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 46 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4154DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 36A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 4230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4160DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 25.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25.4A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2071пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4162DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 19.3A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19.3A Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1155пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4164DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 30A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3545пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4166DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 30.5 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30.5A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 6.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4174DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 17A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 985пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI4178DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4186DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 35.8A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35.8A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 3630пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4190ADY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18.4A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4386DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1.47Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4401BDY-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 8.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 55нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4401BDY-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 8.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 55нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4401DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 16.1А 6.3Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16.1A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 6.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3007пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4403CDY-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 13.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 13.4A Сопротивление открытого канала: 15.5 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 2380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4420BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 9.5A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении