Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (876)

SI3457CDV-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.1 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 74 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3457CDV-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.1 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 74 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3458BDV-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 3.2A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3459BDV-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 2.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 216 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3459BDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 2.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 216 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3460DDV-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 7.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 666пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3473CDV-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2010пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3473CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2010пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3483CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3493BDV-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 20В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 27.5 мОм Мощность макс.: 2.97Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 43.5нКл Входная емкость: 1805пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

SI4056DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.1А 2.5Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11.1A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 29.5нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4090DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 19.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19.7A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.3В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4100DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4100DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4114DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 20 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8

Сообщить о поступлении

SI4114DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 20A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4116DY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 25В 18A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 8.6 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1925пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4116DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 25В 18A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 8.6 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1925пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4122DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 27.2 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 27.2A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4124DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 20.5 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 20.5A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 77нКл Входная емкость: 3540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении